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高電壓
高電壓 文章 進(jìn)入高電壓技術(shù)社區
正負100V共模高電壓輸入差動(dòng)放大器
- 電路的功能眾所周知,OP放大器的共模抑制比(CMRR)非常大。但是,如果共模電壓高于電源電壓,OP放大器就不能正常工作,通常當電源電壓(VOO)為正負15V時(shí),共模電壓應在正負10V以?xún)?。本電路中OP放大器反相工作,所以
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HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應三極管

- HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應三極管 HVVi半導體推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應三極管(HVVFET?),HVVi的新構架為雷達和航空電子應用提供頻帶、電壓以及功率級,遠遠超過(guò)了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請專(zhuān)利的技術(shù)使得HVVi達到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級別,而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發(fā)布的一部分,HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應用,如IFF,TCAS,TACAN以及Mode-S,三個(gè)新產(chǎn)品
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Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件,可用于簡(jiǎn)單的線(xiàn)性調節器,在起動(dòng)階段為脈沖寬度調變(PWM)集成電路供應所需電壓,然后在轉換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴(lài)電阻器的解決方案,這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統效率和減省起動(dòng)時(shí)間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出,新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝,能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線(xiàn)
- 關(guān)鍵字: MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
用降壓穩壓器獲取高電壓
- 幾家半導體制造商所提供的電流型降壓控制器的輸入電壓范圍是30 ~ 36V,但輸出電壓范圍只能從基準電壓到大約6V;這種輸出電壓的局限性是電流檢測放大器的共模電壓限制引起的。在實(shí)際應用中,電源設計師必定能為打印機、服務(wù)器、路由器、網(wǎng)絡(luò )設備和測試設備產(chǎn)生很高的輸出電壓。采用常規降壓穩壓器來(lái)提供較高的電壓是一個(gè)難題。圖1所示電路可解決這個(gè)難題:采用一個(gè)外部運算放大器、一個(gè)小信號pnp三極管和一個(gè)低輸出電壓降壓穩壓器,在負載電流高達2.5A時(shí)通過(guò)27V輸入電源提供了
- 關(guān)鍵字: 高電壓 降壓穩壓器
高電壓介紹
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