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HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應三極管
- HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應三極管 HVVi半導體推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應三極管（HVVFET?），HVVi的新構架為雷達和航空電子應用提供頻帶、電壓以及功率級，遠遠超過(guò)了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請專(zhuān)利的技術(shù)使得HVVi達到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級別，而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個(gè)新產(chǎn)品
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