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運用返馳轉換器的高功率應用設計

  • 多相返馳轉換器不僅推升了最大可能功率的極限,而且具有容易設計的優(yōu)點(diǎn),同時(shí),其所產(chǎn)生的傳導干擾也相對更低。返馳轉換器是產(chǎn)生受調節電氣隔離電壓的良好途徑。此種電壓轉換技術(shù)的應用層面相當廣泛,原因是其電路簡(jiǎn)單且技術(shù)也發(fā)展得相當成熟。圖一顯示返馳轉換器的示意簡(jiǎn)圖。 圖一 : 不使用光耦合器(no-opto)的返馳轉換器然而,返馳式技術(shù)在使用上存在許多限制,而其最大傳輸功率也有其極限,主要是因為在圖一所示的Q1開(kāi)關(guān)的導通期間,電流會(huì )經(jīng)過(guò)變壓器的一次側。在此期間,能量會(huì )儲存在變壓器的磁芯T1。在Q1的關(guān)斷期
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imec展示56Gb波束成形發(fā)射機 實(shí)現高功率零中頻的D頻段傳輸

  • 于本周舉行的國際電機電子工程師學(xué)會(huì )(IEEE)射頻集成電路國際會(huì )議(RFIC Symposium)上,比利時(shí)微電子研究中心(imec)發(fā)表了一款基于CMOS技術(shù)的先進(jìn)波束成形發(fā)射機,用來(lái)滿(mǎn)足D頻段的無(wú)線(xiàn)傳輸應用。該發(fā)射器具備優(yōu)異的輸出功率及能源效率,同時(shí)支持每通道56Gb/s的超高數據傳輸率。該組件也是比利時(shí)微電子研究中心(imec)研究人員目前正在開(kāi)發(fā)的四路波束成形收發(fā)機芯片之核心構件。運用這項技術(shù),他們希望可以協(xié)助部署新一代100GHz以上的高頻短距無(wú)線(xiàn)傳輸服務(wù)。 imec先進(jìn)CMOS波束成
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低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性

  • 眾所周知,SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料,因其高擊穿場(chǎng)強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用,可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開(kāi)關(guān)器件是SiC MOSFET,與傳統Si IGBT相比,SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應用中實(shí)現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標,從而推動(dòng)電力電子系統的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場(chǎng)景對應的功率等級2從技術(shù)上講,
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48V高功率電驅動(dòng)系統的設計與開(kāi)發(fā)

  • 根據歐盟對汽車(chē)CO2排放限值的要求,至2025年,這一排放指標須比2021年降低15.0%;至2030年,這一排放指標須比2021年降低37.5%?目前,研究人員需要進(jìn)一步降低新款車(chē)型的CO2排放,為此應大力推廣電氣化動(dòng)力總成系統?除了純電動(dòng)汽車(chē)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)之外,全混合動(dòng)力汽車(chē)(FHEV)也屬于該類(lèi)車(chē)型?FHEV雖然無(wú)須進(jìn)行外部充電,但是仍能以純電動(dòng)狀態(tài)行駛,特別是在市區范圍內?研究人員如果對德國混合動(dòng)力汽車(chē)市場(chǎng)可公開(kāi)得到的數據進(jìn)行分析,那么就能獲得如下信息:輕度混合動(dòng)力汽車(chē)(MHEV
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艾睿電子在英國設立高功率卓越中心,加速電氣化和可持續性發(fā)展

  • 全球技術(shù)解決方案供應商艾睿電子公司及其旗下工程服務(wù)公司eInfochips日前宣布,將在英國斯溫頓設立高功率卓越中心(Centre of Excellence)。該中心旨在協(xié)助客戶(hù)開(kāi)發(fā)高功率解決方案,深化在電氣化和可持續發(fā)展應用領(lǐng)域的發(fā)展。高功率設計在實(shí)現能源效率方面發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵作用,對于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電池儲能、電網(wǎng)基礎設施和其他各種凈零排放項目至關(guān)重要。然而,高功率電子設計極具復雜性,包括極高的電力專(zhuān)業(yè)知識要求、嚴格的功能安全性和可靠性要求、繁雜的印刷電路板布局以及昂貴的測試設備等,都給創(chuàng )新者帶來(lái)
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ERS electronic公司推出高功率溫度卡盤(pán)系統

  • 半導體制造業(yè)提供溫度管理解決方案的領(lǐng)導者——ERS electronic,現推出全新高功率溫度卡盤(pán)系統。該技術(shù)針對高端CPU、GPU和高并行性DRAM器件應用的晶圓測試,可在-60°C至+200°C溫度范圍內對Device Under Test (DUT)進(jìn)行精確且強大的溫度控制。 High Power Dissipation” is the newest thermal chuck system from ERS electronic, suited for wafer test of
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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應用中實(shí)現高功率負載開(kāi)關(guān)

  • 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品,均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設備和智能手機中的負載開(kāi)關(guān),也可用于功率要求更高的數字電路。例如空間受限的計算、通信、工業(yè)和汽車(chē)應用。值得注意的是,DFN封裝的RET采用雙重空間節省方案,可加倍提高空間利用率。首先,通過(guò)將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中,可節省大量電路板空間。此外,無(wú)引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
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具有OVC III的高功率密度轉換器:儒卓力提供RECOM的20 W AC/DC RAC20E-K/277產(chǎn)品

  • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)推出RECOM公司E-K 系列中具有高功率密度的 20 W AC/DC 轉換器RAC20E-K/277,它的特點(diǎn)是具有OVC III 額定值,可在海拔2000 米運行 (OVC II則為5000 米),并且具有-40 °C至+90 °C的寬工作溫度范圍 (帶有降額),因此該器件特別適用于嚴苛的環(huán)境條件,例如路邊電動(dòng)汽車(chē)充電樁、工業(yè)環(huán)境以及測試和測量應用中的電源。此外,其高功率密度也適合一般家居應用和標稱(chēng)電壓為 277
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e絡(luò )盟現貨開(kāi)售Power Integrations系列高功率產(chǎn)品

  • 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò )盟近日引入Power Integrations系列高功率柵極驅動(dòng)器,進(jìn)一步擴大其功率產(chǎn)品陣容,均可快速交付。Power Integrations高功率產(chǎn)品系列包括:●? ?SCALE?-2:即插即用●? ?ISO5125I:DC-DC電源●? ?SCALE-2:Driver Core驅動(dòng)核●? ?SCALE-2+:Driver Core 驅動(dòng)核●? ?SCAL
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Qorvo QPA3069 S波段功率放大器在貿澤開(kāi)售,助力國防和航空航天行業(yè)

  • 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 近日將開(kāi)始備貨Qorvo的QPA3069功率放大器。100 W QPA3069專(zhuān)為國防和航空航天應用而設計,能為2.7 – 3.5 GHz射頻 (RF) 設計提供高功率密度和附加功率效率。這款S波段的高功率放大器采用Qorvo的0.25 μm 碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) ?工藝制成,可簡(jiǎn)化系統集成度,提供優(yōu)異的性能,且尺寸小巧,僅7.0 × 7.0 × 0.85 mm 。貿澤備貨的Qo
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采用小巧,堅固封裝的高功率步進(jìn)柵極驅動(dòng)器IC

  • TMC2590是Trinamic最新的2相步進(jìn)電機柵極驅動(dòng)器。 低功耗的EMI優(yōu)化芯片具有保護和診斷功能,使得為極具競爭力的解決方案提供小型化設計成為可能。漢堡,2019年9月2日 - TRINAMIC Motion Control GmbH&Co. KG 宣布推出TMC2590,這是一款兩相步進(jìn)電機柵極驅動(dòng)器,具有堅固的設計和高功率密度。適用于從5V ... 60V DC工作電壓的各種步進(jìn)電機。它是一款經(jīng)濟型解決方案,可廣泛應用于紡織,工廠(chǎng)和實(shí)驗室自動(dòng)化,3D打印,液體處理,醫療,安全,泵和閥門(mén)以及PO
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在緊湊的 PCB 面積內提供高功率 以及完整的數字控制和遙測功能

  • 對于任何人來(lái)說(shuō),數字電源系統管理 (DPSM) 在通信和計算機行業(yè)內的持續采用,在很大程度上繼續由位于其系統架構核心的 20nm 以下 ASIC 和 / 或 FPGA 所
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驅動(dòng)高功率以太網(wǎng)絡(luò )的供電技術(shù)

  • 目前有許多已開(kāi)發(fā)的實(shí)用PoE 應用,然而,新推出的應用所需要的功率高于現今 802.3af 標準所定義的功率限制,也就是為用電裝置端提供約 13 W 的功率?,F今需要新的 PoE+ 標準以滿(mǎn)足增加功率的需求,但這項新標準仍未定義完成。在新標準出爐前,勢必要能夠針對所需功率高于現今可提供功率的 PD 負載進(jìn)行供電。
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采用LJ6585D的高功率因數熒光燈電子鎮流器電路

  • 采用LJ6585D的高功率因數熒光燈電子鎮流器電路由L6585D組成的高功率因數熒光燈電子鎮流器電路如圖3所示。
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高功率半導體的未來(lái) 前方道路通往何處?

  •   電力電子系統技術(shù)之所以快速發(fā)展,功率模組乃是公認的主要推動(dòng)力,尤其在節約能源、功率控制動(dòng)態(tài)范圍、減少雜訊、減輕重量和縮減體積方面,表現更是出色。功率半導體主要用來(lái)控制發(fā)電與耗電之間的能量流,其過(guò)程需要的是無(wú)比的精確與極低損耗。   為了因應工業(yè)應用,持續推動(dòng)電力電子技術(shù)精益求精的力量有5個(gè)面向:能源效率、作業(yè)溫度、微型化、可靠程度與成本精簡(jiǎn),而這5個(gè)面向在某種程度下會(huì )相互影響。這些趨勢在過(guò)去30年來(lái)不斷地驅策著(zhù)功率半導體的發(fā)展,未來(lái)也勢必扮演重要的推手。        圖1:過(guò)去
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