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超能云終端3.0
超能云終端3.0 文章 進(jìn)入超能云終端3.0技術(shù)社區
手機性能升級,UFS 4.0的角色很關(guān)鍵
- 智能手機已經(jīng)成為我們不可或缺的AI設備,隨身運行的大模型,人工智能圖像與視頻識別,讓手機的易用程度又向上提升了一個(gè)臺階。特別是隨著(zhù)驍龍8至尊版正式發(fā)布,新一輪的裝備升級勢在必行。更強的CPU、GPU和NPU給端側的AI性能帶來(lái)了更多可能,但也給存儲帶來(lái)全新的挑戰,搭載AI的系統和本地大模型如何被高效的運用和讀取,在網(wǎng)絡(luò )信號不佳的前提下,存儲能否擔當起及時(shí)的AI響應,本地存儲空間是否足夠離線(xiàn)模型的存儲?這時(shí)候,UFS 4.0存儲方案自然而然擺上了臺面。UFS 4.0存儲其實(shí)早已在高性能手機中被廣泛使用,不像
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研華新一代CXL 2.0內存,數據中心效率大革新!
- 2024 年 10 月,研華科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 內存模塊。Compute Express Link (CXL) 2.0 是內存技術(shù)的下一代進(jìn)化產(chǎn)品,可通過(guò)高速、低延遲的互連實(shí)現內存擴展和加速,滿(mǎn)足大型 AI 訓練和高性能計算集群的需求。 CXL 2.0 建立在 CXL 規范的基礎上,引入了內存共享和擴展等高級功能,使異構計算環(huán)境中的資源利用效率更高,在當今高性能計算領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。通過(guò)E3.S 2T規格擴展內存在傳統的內存架構中,固定的內存分配常常導致資源利用率
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工業(yè) 4.0 時(shí)代制造業(yè)的范式躍遷
- 作者:是德科技產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理 Choon-Hin Chang摘要工業(yè) 4.0 的特點(diǎn)是將數字技術(shù)融入生產(chǎn)和制造流程,它標志著(zhù)制造業(yè)進(jìn)入了一個(gè)產(chǎn)業(yè)革命的新階段。隨著(zhù)技術(shù)的飛速發(fā)展,制造業(yè)正逐步通過(guò)加速自動(dòng)化和數據交換以及采用智能系統等方式來(lái)創(chuàng )建一個(gè)更加互聯(lián)和高效的生產(chǎn)流程。此篇是德科技署名文章旨在探討工業(yè) 4.0 技術(shù)如何變革制造業(yè),并提高整個(gè)產(chǎn)業(yè)的效率、生產(chǎn)力和創(chuàng )新能力。文章深入分析了物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、人工智能 (AI)、大數據分析、機器人技術(shù)和增材制造(Additive Manufa
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三星首款!第八代V-NAND車(chē)載SSD發(fā)布:讀取4400MB/s
- 9月24日消息,今日,三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991,AM9C1能效提高約50%,順序讀寫(xiě)速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示,AM9C1能滿(mǎn)足汽車(chē)半導體質(zhì)量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準,在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹,AM9C1采用三星5nm主控,用戶(hù)可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式,以此大幅提升讀寫(xiě)速度。其中,讀取速度高達4700MB/s,寫(xiě)入速度高達1
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Nordic Semiconductor即將推出的nRF54系列SoC支持藍牙6.0信道探測功能
- 隨著(zhù)藍牙技術(shù)聯(lián)盟(Bluetooth SIG)將信道探測技術(shù)作為藍牙 6.0 的一部分,Nordic 即將發(fā)布的 nRF54 系列中將采用該技術(shù)。繼藍牙技術(shù)聯(lián)盟(Bluetooth SIG)正式將信道探測(Channel Sounding)作為藍牙 6.0 的一部分之后,Nordic Semiconductor 宣布在即將推出的 nRF54L 和 nRF54H 系列系統級芯片 (SoC) 中支持該技術(shù)。信道探測技術(shù)增強了低功耗藍牙 (Bluetooth LE) 設備測量距離和檢測存在的方式,擴展了該技術(shù)的
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貿澤電子擴充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容及資源中心助力工業(yè)5.0
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件授權代理商貿澤電子(Mouser Electronics)繼續擴充其工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容及資源中心。隨著(zhù)各行各業(yè)朝著(zhù)更加智能化和互聯(lián)化的未來(lái)快速發(fā)展,貿澤始終走在時(shí)代前沿,為電子設計工程師和買(mǎi)家提供潮流產(chǎn)品和資源來(lái)應對復雜的現代工業(yè)應用。貿澤代理的產(chǎn)品范圍不斷擴大,可滿(mǎn)足工廠(chǎng)自動(dòng)化、機器人、智能制造和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)?(IIoT)?等廣泛的應用和市場(chǎng)需求。貿澤通過(guò)提供新產(chǎn)品和新技術(shù),協(xié)助專(zhuān)業(yè)人士設計并實(shí)現可以提高工作效率、生產(chǎn)力和可持續性的解決方案。貿澤電子亞太區
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AI智慧生產(chǎn)競筑平臺 落實(shí)百工百業(yè)創(chuàng )新加值
- 受惠于近年來(lái)生成式人工智能(Generative AI, GenAI)題材持續發(fā)酵,由 NVIDIA 帶動(dòng)的AI熱潮,使得中國臺灣在 AI制造供應鏈角色備受矚目。中國臺灣資通訊、電子零組件占有出口比重與日俱增,已超過(guò)2/3產(chǎn)品出口集中在電子相關(guān)產(chǎn)業(yè),也引發(fā)各界對于產(chǎn)業(yè)是否會(huì )患上「荷蘭?。―utch disease)」的疑慮。展望未來(lái)地緣政治沖突只會(huì )越演越烈,對中國臺灣石化、紡織、機械與汽車(chē)零組件等傳統產(chǎn)業(yè)受到關(guān)稅、匯率的影響固然不言而喻;即使近年來(lái)中國臺灣因為人工智能(AI)題材加持,半導體、電子代工業(yè)出
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當工業(yè)4.0碰到AI 智慧生產(chǎn)的發(fā)展趨勢
- 未來(lái)一年中,制造商的前三大重點(diǎn)投資包含GenAI、協(xié)作型機器人、自主移動(dòng)機器人(AMR)與自動(dòng)引導車(chē)(AGV)。從數據看未來(lái),AI智能生產(chǎn)很快將成為全球制造業(yè)日常。工業(yè)自動(dòng)化龍頭洛克威爾自動(dòng)化(Rockwell Automation)發(fā)布的《智能制造概況》報告指出,全球17個(gè)主要制造國家/地區中,有1,500家以上的制造商(包含消費性包裝商品、食品飲料、汽車(chē)、半導體、能源、生物科技等產(chǎn)業(yè))已經(jīng)使用或正在評估智能制造技術(shù),占比從2023年的84%提升至95%;制造商認為,AI是創(chuàng )造商務(wù)成果的首要能力,83%
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美光首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD推出
- 美光宣布旗下消費級品牌英睿達推出新款固態(tài)硬盤(pán)P310,這也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD,將SSD帶到了最小尺寸的M.2規格上。據悉,此次發(fā)布的P310系列,精心準備了1TB與2TB兩種大容量選項,以滿(mǎn)足不同用戶(hù)的存儲需求。其核心搭載了美光自主研發(fā)、業(yè)界領(lǐng)先的232層3D QLC NAND閃存技術(shù),這一創(chuàng )新不僅大幅提升了存儲密度,更在性能上實(shí)現了質(zhì)的飛躍。具體而言,P310的順序讀取速度高達7100 MB/s,順序寫(xiě)入速度也達到了驚人的6000 MB/s,同時(shí),在4K隨機讀寫(xiě)測試中,分
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東芝推出支持PCIe5.0和USB4等高速差分信號的2:1多路復用器/1:2解復用器開(kāi)關(guān)
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)近日宣布,推出最新多路復用器/解復用器(Mux/De-Mux)開(kāi)關(guān)“TDS4A212MX”和“TDS4B212MX”多路復用器/解復用器(Mux/De-Mux)開(kāi)關(guān)。該新產(chǎn)品可用作2輸入1輸出Mux開(kāi)關(guān)和1輸入2輸出De-Mux開(kāi)關(guān),適用于PC、服務(wù)器設備、移動(dòng)設備等的PCIe?5.0、USB4?和USB4?Ver.2等高速差分信號應用。新產(chǎn)品采用東芝專(zhuān)有的SOI工藝(TarfSOI?),實(shí)現了非常高的帶寬:TDS4B212MX的-3 dB帶寬(差分)為27.5
- 關(guān)鍵字: 東芝 PCIe5.0 USB4 高速差分信號 多路復用器 解復用器開(kāi)關(guān)
PCIe 6.0和7.0標準遇到了障礙
- 新技術(shù)的采用可能會(huì )面臨一些延遲。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝!ASML公布Hyper NA EUV光刻機:死胡同不遠了
- 6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機,同時(shí)正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機,預計可將半導體工藝推進(jìn)到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33,對應產(chǎn)品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產(chǎn)2nm,再往后就得加入多重曝光,預計到2027年能實(shí)現1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
- 關(guān)鍵字: ASML 光刻機 高NA EUV 0.2nm
超能云終端3.0介紹
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