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英飛凌科技 文章 進(jìn)入英飛凌科技技術(shù)社區
新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車(chē)應用中的導通電阻、設計穩健性和開(kāi)關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車(chē)應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來(lái)的48 V汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉向、制動(dòng)系統、新區域架構中的功率開(kāi)關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(chē)（LEV）、電動(dòng)二輪車(chē)、電動(dòng)踏板車(chē)、電動(dòng)摩
- 關(guān)鍵字： 英飛凌科技 汽車(chē)應用 OptiMOS? 7 MOSFET
英飛凌在匈牙利設立新廠(chǎng) 擴充大功率半導體模塊產(chǎn)能
- 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設立新廠(chǎng)，用于大功率半導體模塊的組裝和測試，以推動(dòng)作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程。此外，英飛凌還進(jìn)一步擴大了投資，提高大功率半導體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機、太陽(yáng)能模塊以及高能效馬達驅動(dòng)等應用，推動(dòng)綠色能源的發(fā)展。英飛凌營(yíng)運長(cháng)Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長(cháng)期可持續增長(cháng)的發(fā)展道路。在低碳化和數字化趨勢的推動(dòng)下，英飛凌半導體解決方案的市場(chǎng)需求不斷增長(cháng)。采格萊德工廠(chǎng)為推動(dòng)綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻，新工廠(chǎng)的建設將進(jìn)一步助力英飛凌滿(mǎn)足日益
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防水、防塵又防潮：英飛凌推出超小型氣壓傳感器DPS368
- 2019年6月4日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出全新產(chǎn)品——XENSIVTM DPS368。這是一款能夠同時(shí)測量溫度與氣壓的小型化數字氣壓傳感器。此產(chǎn)品具有±2 cm的超高精度以及低功耗，十分適于海拔、氣流以及身體運動(dòng)的精確測量，這也使之成為那些支持移動(dòng)追蹤以及導航功能的手機和可穿戴設備的理想之選。不僅如此，它還適用于家電（進(jìn)行氣流調節）、無(wú)人機（維持飛行穩定性）以及醫療器械（如智能吸入器）。得益于其可靠的封裝，DPS368可在50米深的水下保持
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英飛凌XENSIV? TLI4971：面向工業(yè)應用的全新電流傳感器
- 2019年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將發(fā)布新的電流傳感器家族系列產(chǎn)品，并攜其首個(gè)家族成員亮相今年的PCIM貿易展。這個(gè)家族系列產(chǎn)品將由高度精確和穩定的無(wú)磁芯霍爾傳感器組成。它們可提供很高的靈活性，允許客戶(hù)單獨設置產(chǎn)品參數，如電流范圍、過(guò)流閾值和輸出模式等。首款產(chǎn)品XENSIV? TLI4971的測量范圍為±25 A至±120 A。它適用于工業(yè)應用，如高達50 kW的電力驅動(dòng)裝置或光伏逆變器。這個(gè)產(chǎn)品家族的其他成員將于2020年陸續問(wèn)
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英飛凌營(yíng)收符合預期目標，總營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)1%
- 2019年5月8日，德國諾伊比貝爾格（Neubiberg） – 英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）公布了2019財年第二季度的業(yè)績(jì)（截至2019年3月31日）。要點(diǎn)如下：·2019財年第二季度：營(yíng)收19.83億歐元；營(yíng)業(yè)利潤3.32億歐元；利潤率為16.7%?！?019財年第三季度的展望：假設歐元兌美元匯率為1.15，環(huán)比營(yíng)收增長(cháng)將達到1%（正負兩個(gè)百分點(diǎn)），低于以往的環(huán)比增長(cháng)率，利潤率將達到15%?！?019財年的展望：營(yíng)收預期為80億歐元（正負兩個(gè)百分點(diǎn)），利潤
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4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應用
- 制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應用開(kāi)發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點(diǎn)是導通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開(kāi)通行為和高魯棒性的短路行為。在
- 關(guān)鍵字： FZ1200R45HL3 英飛凌科技 IGBT
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