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羅姆半導體
羅姆半導體 文章 進(jìn)入羅姆半導體技術(shù)社區
什么是dV/dt失效
- 如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效問(wèn)題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。?dV/dt是單位時(shí)間內的電壓變化量，VDS的上升坡度
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什么是雪崩失效
- 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì )發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì )導致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現象稱(chēng)為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱(chēng)為“雪崩電流IAS”，參見(jiàn)下圖（1）。MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì )造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。? 發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會(huì )流過(guò)大電流，存在MOSFET
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項：一般測量方法
- SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(cháng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開(kāi)關(guān)速度較快時(shí)
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打造新一代智能電表/感知層的解決方案
- 姚玲玲?（羅姆半導體（上海）有限公司?技術(shù)中心?助理經(jīng)理） 1 智能電表的發(fā)展機會(huì ) 在智能物聯(lián)網(wǎng)的應用中，羅姆（ROHM）目前主要著(zhù)力點(diǎn)仍然在感知層。通過(guò)不斷優(yōu)化終端的數據采集和數據預處理，減輕邊緣計算負擔；提供無(wú)線(xiàn)傳輸方案，實(shí)現快速、安全的數據傳輸?！ ≈悄茈娋W(wǎng)在建成“堅強智能電網(wǎng)”的基礎上，正在與“泛電力物聯(lián)網(wǎng)”相融合，以建設“能源互聯(lián)網(wǎng)”。作為感知層的智能電表，將會(huì )承擔“智慧網(wǎng)關(guān)”的角色。新一代智能電表引入操作系統、可插拔模組化設計理念，將主芯片分為管理芯和計量芯，新增了負荷識別模塊，并可根
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2018年度“羅姆杯”上海大學(xué)大學(xué)生機電創(chuàng )新設計大賽圓滿(mǎn)落幕
- 2019年3月22日下午，由羅姆半導體（上海）有限公司主辦、上海大學(xué)承辦的2018年度“羅姆杯”上海大學(xué)大學(xué)生機電創(chuàng )新設計大賽在上海大學(xué)寶山校區工程技術(shù)訓練中心圓滿(mǎn)落下帷幕。上海大學(xué)機電工程與自動(dòng)化學(xué)院領(lǐng)導、羅姆半導體（上海）有限公司設計中心領(lǐng)導以及全體參賽學(xué)生和指導老師出席了本次活動(dòng)。頒獎儀式合影本屆大賽自2018年7月正式啟動(dòng)，歷時(shí)9個(gè)月終于圓滿(mǎn)落幕。大賽圍繞智能環(huán)境下“機械+”面向家庭和校園生活智能機械、物聯(lián)網(wǎng)智能系統應用、互聯(lián)網(wǎng)+應用、供電技術(shù)產(chǎn)品設計、機電一體化產(chǎn)品設計等主題進(jìn)行應用設計，共吸引
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北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室。北汽新能源執行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū)，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?！ ≡撀?lián)合實(shí)驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車(chē)領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)?！ 〗陙?lái)，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
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第十六屆高交會(huì )電子展：縱覽改變世界的技術(shù)創(chuàng )新
- 2014年11月16日，第十六屆高交會(huì )電子展ELEXCON2014在深圳會(huì )展中心2號館正式拉開(kāi)帷幕。在這一中國最重要的電子展上，除了村田制作所、TDK、羅姆半導體、東芝電子、松下電器、尼吉康、路碧康、嘉美工、JAE、君耀電子、宇陽(yáng)科技、順絡(luò )電子、諾信、騰盛等持續多年參展的企業(yè)外，三星電機、華新科、風(fēng)華高科、潮州三環(huán)、Nesscap、上海芯導、臺灣明緯等不少新的代表性企業(yè)也一并攜新產(chǎn)品新技術(shù)登臺亮相，展出大量“助力新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)傳統市場(chǎng)小型化、綠色化、智慧化、互聯(lián)化轉型”的產(chǎn)
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再訪(fǎng)清華-羅姆電子工程館
- ? [EEPW北京訊]2013年5月24日，清華大學(xué)羅姆電子工程館（清華校內稱(chēng)之為‘羅 姆樓’），“２０１３清華－羅姆國際產(chǎn)學(xué)連攜論壇”在這里如期召開(kāi)。通過(guò)對此次論壇的實(shí)地采訪(fǎng)，筆者再次獲得了深入了解這起曾引起業(yè)界廣泛關(guān)注的高校與國際企業(yè)間合作成功案例最新進(jìn)展的機會(huì )。 ‘羅姆樓’熱鬧起來(lái)了 在清華大學(xué)學(xué)生中間，“清華羅姆電子工程館”被簡(jiǎn)稱(chēng)為“羅姆樓”，現如今清華大學(xué)電
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羅姆半導體：用SiC撬動(dòng)新能源、汽車(chē)電子新興市場(chǎng)
- 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)中的逆變器、轉換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導體廠(chǎng)商都看好SiC技術(shù)的未來(lái)，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)
- 關(guān)鍵字： 羅姆半導體 電動(dòng)汽車(chē)
復制京都經(jīng)驗 羅姆半導體中國“野心”
- 從東京坐上新干線(xiàn)往南行駛2個(gè)小時(shí)，夜幕降臨時(shí)，便抵達了日本古城京都。 這是一座不允許建高樓，甚至不允許在街頭出現鮮艷顏色廣告牌的城市，街道上看不到東京一樣的車(chē)水馬龍，一些人喜歡把它比作日本的西安——京都的城市格局系仿照唐代的長(cháng)安城修建。 不過(guò)，當你驅車(chē)在這座古城中穿梭，你會(huì )驚奇地發(fā)現歐姆龍、京瓷、羅姆、村田制作所、任天堂等一大批響當當的名字不時(shí)在街旁出現。一組最新的統計數據足以讓它們的東京同行們感到十分難堪：在日本的半導體元器件企業(yè)中，總部位于京都的企業(yè)，如村田制作
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羅姆半導體介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條羅姆半導體!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對羅姆半導體的理解，并與今后在此搜索羅姆半導體的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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