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硅襯底完敗藍寶石襯底,芯片結構已玩不出新花樣?

  • 硅襯底完敗藍寶石襯底,芯片結構已玩不出新花樣?-芯片是五面發(fā)光的,通常需要將將芯片置于支架內,反光杯的開(kāi)口面積遠大于芯片發(fā)光面積,導致單位面積光通量低,芯片表面顏色均勻性非常差,芯片正上方偏藍,而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片結構強烈依賴(lài)于所用的襯底材料。目前大部分廠(chǎng)商采用藍寶石作為襯底材料
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國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:硅襯底和OLED照明材料登榜!

  •   為加大對科技型企業(yè)特別是中小企業(yè)的政策扶持,有力推動(dòng)大眾創(chuàng )業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng )新,培育創(chuàng )造新技術(shù)、新業(yè)態(tài)和提供新供給的生力軍,促進(jìn)解決升級發(fā)展,科技部、財政部、國家稅務(wù)總局對《高新技術(shù)企業(yè)認定管理辦法》進(jìn)行了修訂完善。   文中指出,本辦法所稱(chēng)的高新技術(shù)企業(yè)是指:在《國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域》內,持續進(jìn)行研究開(kāi)發(fā)與技術(shù)成果轉化,形成企業(yè)核心自主知識產(chǎn)權,并以此為基礎開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng),在中國境內(不包括港、澳、臺地區)注冊的居民企業(yè)。   根據科技部網(wǎng)站公布的消息,國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:   一、電子信
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基于不同基板1W硅襯底藍光LED老化性能研究

  • GaN材料自20世紀90年代以來(lái)逐漸在顯示、指示、背光和固態(tài)照明等領(lǐng)域廣泛應用,已形成巨大的市場(chǎng)。到目前為止,...
  • 關(guān)鍵字: 硅襯底  藍光LED  

由東芝投資普瑞光電制造出8英寸硅襯底的LED

  •   雖然東芝和普瑞光電合作僅數月,他們已經(jīng)對外公布在8英寸硅襯底生長(cháng)出高品質(zhì)的GaN,所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過(guò)3.1V,電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。   合作中,東芝除了提供自己先進(jìn)的硅制造工藝和一些生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)支持外,東芝還對普瑞光電進(jìn)行了股權投資,看好普瑞在固態(tài)照明領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng )新實(shí)力。該項投資將進(jìn)一步促進(jìn)雙方在固態(tài)照明行業(yè)為降低成本所做的努力。   雖然東芝和普瑞光電合作僅數月,他們已經(jīng)對外公布在8英寸硅襯底生長(cháng)出高品質(zhì)的GaN,所得LED芯片大小為1.1
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硅襯底,躋身主流待何時(shí)?

  •   襯底作為半導體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線(xiàn)。日前,普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后,Cree也發(fā)布消息稱(chēng),其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀錄,達到254lm/W。一面是硅襯底這條新技術(shù)路線(xiàn)研發(fā)取得突破性進(jìn)展的消息時(shí)有爆出,一面是SiC襯底芯片光效的快速提升,而藍寶石襯底也因產(chǎn)能過(guò)剩價(jià)格低至谷底而備顯競爭力。面對新技術(shù)的快速發(fā)展和老技術(shù)的不斷突破,如今,SiC、藍寶石、硅這三種不同的襯底技術(shù)路線(xiàn),哪種在成本和
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晶能光電:硅襯底LED芯片產(chǎn)業(yè)化初見(jiàn)成效

  • 晶能光電先后推出了2類(lèi)4種規格的硅襯底LED芯片,年產(chǎn)能達到30億粒(小芯片)?!霸诘壔雽w發(fā)光材料領(lǐng)...
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Bridgelux公司將重心轉移至硅襯底LED制造

  •   近日,美國LED芯片制造商Bridgelux公司首席執行官Bill Watkins透露,該公司決定將重心從藍寶石襯底LED制造轉移至成本更低的硅襯底LED制造,并計劃裁掉利弗莫爾總部共250名員工中的53名,約五分之一,預估生產(chǎn)方式的轉移將使公司生產(chǎn)成本降低75%。   此外,Bridgelux公司期望在18個(gè)月內將硅襯底LED投入量產(chǎn)。目前正與一家亞洲公司商談成立合資公司來(lái)從事新一代LED的海外制造。   Bridgelux迄今為止總共募集了1.8億美元的風(fēng)投資金。2010年,Bridg
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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問(wèn)世以來(lái),LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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硅基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任

  •   近日,韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc ?K465i? MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設備。   對此,Veeco的化合物半導體業(yè)務(wù)執行副總裁William J. Miller表示:“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵,并商品化這項技術(shù)用于大批量制造氮化鎵功率器件,我們認為是巨大的戰略研發(fā)上的勝利?!?   
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硅襯底介紹

  硅襯底是目前價(jià)格最便宜,可獲得尺寸最大,器件工藝較成熟的半導體材料,用硅材料制備光電子器件,從而使成熟的硅集成電路工藝與IV—族,IⅥ族光電一子器件的光電特性結合在一起,發(fā)揮材料的各自?xún)?yōu)勢,巳成為較活躍,有吸引力的研究領(lǐng)富域.  硅具有Fd3m空間群的金剛石結構,屬立方體系。由沿體對角線(xiàn)方向位移1/4體對角線(xiàn)距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成?! D1.6.1是從硅晶胞方向的透視圖,硅的室溫物理 [ 查看詳細 ]

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