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電源完整性
電源完整性 文章 進(jìn)入電源完整性技術(shù)社區
數字集群對講機鎖相環(huán)失鎖問(wèn)題的研究
- 數字集群對講機在使用時(shí)會(huì )概率性出現鎖相環(huán)失鎖問(wèn)題，造成對講機在集群模式下無(wú)法注冊入網(wǎng)、在直通模式下無(wú)法通信、調試模式下不能進(jìn)行指標測試等問(wèn)題，必須重啟機器才能恢復。針對這一現象，從理論上分析，造成這種干擾的可能是信號完整性問(wèn)題、鎖相環(huán)的環(huán)路濾波器配置問(wèn)題、電源完整性問(wèn)題等。針對可能的原因逐個(gè)分析和測試，得出增大電源的濾波電容、并同時(shí)增加緩啟動(dòng)電路和軟件檢測鎖相環(huán)鎖定狀態(tài)的解決方案，從示波器測試結果分析可以看出，徹底解決了因收發(fā)切換時(shí)電壓跌落造成的鎖相環(huán)失鎖問(wèn)題，對講機的穩定可靠性得到了明顯改善。
- 關(guān)鍵字： ?202307 鎖相環(huán)失鎖 電源完整性 信號完整性 啟動(dòng)電路
芯和半導體在DAC上發(fā)布高速數字信號完整性、電源完整性EDA2023軟件集
- 2023年7月11日，中國上海訊——芯和半導體于2023年7月10日在美國舊金山西莫斯克尼會(huì )議中心舉辦的DAC2023設計自動(dòng)化大會(huì )上，正式發(fā)布了高速數字信號完整性和電源完整性(SI/PI) EDA2023軟件集，涵蓋了眾多先進(jìn)封裝和高速設計領(lǐng)域的重要功能和升級。繼上月在國際微波展IMS上發(fā)布射頻EDA解決方案2023版本之后，芯和半導體此次發(fā)布了全系列EDA產(chǎn)品2023版本的剩余部分，包括針對先進(jìn)封裝的2.5D/3D信號完整性和電源完整性仿真，以及3D EM電磁仿真平臺、多場(chǎng)協(xié)同仿真和高速系統仿真的三個(gè)
- 關(guān)鍵字： 芯和半導體 DAC 高速數字信號 電源完整性
[泰享實(shí)測之水哥秘笈]:深度講解電源完整性設計和測試
- 近年來(lái)，測試和測量設備行業(yè)一直在迅速發(fā)展。隨著(zhù)電子設備變得越來(lái)越復雜，許多公司面臨著(zhù)高度復雜的測試和驗證過(guò)程。更快的數據速率增加了工程團隊驗證新技術(shù)所需的時(shí)間，往往導致產(chǎn)品上市周期大幅延遲。泰克在工程社區聽(tīng)到了許多工程師的抱怨，因此開(kāi)發(fā)了TMT4裕度測試解決方案，提高了測試的協(xié)作性和易用性。高速電路面臨的三個(gè)問(wèn)題：信號完整性SI、電源完整性PI、電磁干擾EMI?！?nbsp; SI是要保證數字電路各芯片之間信號的準確傳遞；● PI是確保各部分電路和芯片的可靠供電和噪聲抑制；●&nbs
- 關(guān)鍵字： 泰享實(shí)測 電源完整性 泰克
如何確定目標阻抗以實(shí)現電源完整性？
- 阻抗可能是用于普遍概括電子學(xué)所有領(lǐng)域信號行為的一項指標。在 PCB 設計中設計具體應用時(shí)，我們總是有一些希望實(shí)現的目標阻抗，無(wú)論是射頻走線(xiàn)、差分對，還是阻抗匹配網(wǎng)絡(luò )。要想確保電源完整性，就要按照 PDN 目標阻抗進(jìn)行設計，但如何確定 PDN 目標阻抗是一項不小的挑戰。本文要點(diǎn)●將 PDN阻抗設計為目標值有助于確保設計的電源穩定性?！馪DN 目標阻抗在一定程度上會(huì )決定 PDN 上測得的任何電壓波動(dòng)?！翊_定目標阻抗需要考慮 PDN 上允許的電壓波動(dòng)、輸出信號上允許的抖動(dòng)，或將兩者都考慮在內。阻抗可能是用于普遍
- 關(guān)鍵字： 電源完整性
3D IC設計打了死結？電源完整性分析僵局怎么破
- 數十年來(lái)，半導體行業(yè)在超級集成的道路上暢通無(wú)阻，一方面可以提高功能和性能，另一方面可以降低系統成本。不過(guò)，標準的做法是將越來(lái)越多的功能塞進(jìn)單個(gè)裸片上，當您想要集成某些采用不同制程的功能時(shí)，這條路就走不通了。這就是為什么3D IC- 將3D模塊和內插器集成在一起變得越來(lái)越流行的原因。當前，一個(gè)流行的應用案例是將高帶寬存儲器與處理器并排結合在一起，在DRAM堆棧和主存儲器之間直接通過(guò)低阻抗/高度并行連接實(shí)現更高帶寬的通信。 當然，每個(gè)設計創(chuàng )新都會(huì )帶來(lái)新的設計問(wèn)題。其中之一就是如何管理這些系統一直到封
- 關(guān)鍵字： 電源完整性 IC設計
抑制SSN的新型內插L-EBG結構
- 本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結構的創(chuàng )新型結構，對于同步開(kāi)關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們設計的這款新型EBG結構，是在周期性L(fǎng)-bridge EBG結構的基礎上，在一些單元內插小型的L-bridge EBG。通過(guò)仿真驗證，此結構具有傳統型L-bridge EBG結構所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結構上下變頻。另外，通過(guò)3-D
- 關(guān)鍵字： EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607
電源完整性仿真讓電路板更完美
- 為PCB(印刷電路板)上的芯片提供電能不再是一種簡(jiǎn)單的工作。過(guò)去，通過(guò)細走線(xiàn)將IC連接到電源和地就行了，這些走線(xiàn)占不了多少空間。當芯片速度升高時(shí)，就要用低阻抗電源為它們供電，如用PCB上的一個(gè)電源層。有時(shí)候，只需要用四層電路板上的一個(gè)電源層和一個(gè)地層，就可以解決大多數電源完整性問(wèn)題。除了電源層以外，還可以為每只IC去耦，以解決設計中繁瑣的電源問(wèn)題?！ 〔贿^(guò)，現在的PCB空間(還有成本與你的日程)都很緊張，這些問(wèn)題也帶來(lái)了對電源的影響。Mentor Graphics公司的仿真與模擬系列產(chǎn)品高級
- 關(guān)鍵字： Mentor 電源完整性
電源完整性介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對電源完整性的理解，并與今后在此搜索電源完整性的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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