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欠壓保護
欠壓保護 文章 進(jìn)入欠壓保護技術(shù)社區
功率半導體IGBT熱擊穿失效的可靠性研究
- 摘要：針對變頻空調使用緣柵雙極型晶體管（IGBT）擊穿短路故障進(jìn)行分析，確認IGBT為過(guò)壓損壞失效。, 空調供電電源出現大的波動(dòng)影響芯片供電電源質(zhì)量，電壓偏低導致IGBT開(kāi)通異常，不能及時(shí)欠壓保護，IGBT 長(cháng)時(shí)間處于工作在放大狀態(tài)，IGBT開(kāi)通損耗大熱擊穿失效。本文主要從電路設計，工作環(huán)境，模擬驗證等方 面分析研究，確認IGBT擊穿短路失效原因，從設計電路與物料選型優(yōu)化提升產(chǎn)品工作可靠性。關(guān)鍵詞：驅動(dòng)芯片；欠壓保護；熱擊穿；共地線(xiàn)；電源波動(dòng)；諧波絕緣柵雙極型晶體管（insulated gate b
- 關(guān)鍵字： 202206 驅動(dòng)芯片 欠壓保護 熱擊穿 共地線(xiàn) 電源波動(dòng) 諧波
功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋?zhuān)簻p少主二極管的浪涌電流；提高系統抗雷擊的能力；減少開(kāi)機瞬間系統的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統重起動(dòng)，導致功率MOSFET驅動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線(xiàn)性區而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線(xiàn)性區 欠壓保護 202103 MOSFET
一種基于電源管理芯片的新型欠壓保護電路
- A novel under-voltage protection circuit based on power management chip李宏杰，李立（安陽(yáng)工學(xué)院 電子信息與電氣工程學(xué)院，河南 安陽(yáng) 455000）??????? 摘要：針對傳統電源管理芯片中的欠壓保護電路，提出了一種新型低溫漂、低功耗、高精度的欠壓保護電路。采用新型無(wú)電壓比較器的欠壓保護電路架構，通過(guò)基準自偏置產(chǎn)生的無(wú)溫度系數電流與電源采樣電流進(jìn)行比較，進(jìn)而對芯片系
- 關(guān)鍵字： 201904 欠壓保護 電流比較 閾值電壓 回差電壓
欠壓保護電路的少許改進(jìn)方案
- 仔細分析一款簡(jiǎn)單的欠壓保護電路發(fā)現它并不能實(shí)現欠壓保護功能，需要進(jìn)行改進(jìn)，改進(jìn)后的電路比原電路使用的l1個(gè)元件數量還要少。此電路之所以能實(shí)現欠壓保護，是基于這樣的分析：電壓正常時(shí)’b點(diǎn)和a點(diǎn)電壓均較高，單向可...
- 關(guān)鍵字： 欠壓保護
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欠壓保護介紹
當被保護線(xiàn)路的電源電壓低于一定數值時(shí)，保護器切斷該線(xiàn)路；當電源電壓恢復到正常范圍時(shí)，保護器自動(dòng)接通。 [ 查看詳細 ]
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