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模擬ic 文章 進(jìn)入模擬ic技術(shù)社區
利用TI新型在線(xiàn)工具選擇非隔離式POL模塊與電容器
- 現在，借助 TI 的全新在線(xiàn)選擇工具，您可以輕松快速地選擇最佳非隔離式 POL模塊與電容器。T2 系列寬輸入、非隔離式 POL 電源模塊采用 TI 申請專(zhuān)利的全新 TurboTrans 技術(shù)，能夠在瞬態(tài)負載條件下將輸出電容縮小到原來(lái)的1/8。 這款新工具使得用戶(hù)能夠輸入具體的設計參數（如 VIN、VOUT、IOUT、TA）及所需的電容器類(lèi)型。然后，該工具會(huì )返回更改 T2 部件號、所需的輸出電容容量與類(lèi)型，以及 TurboTrans 電阻器值
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電源污染治理技術(shù)
- 近年來(lái), 電力網(wǎng)中非線(xiàn)性負載的逐漸增加是全世界共同的趨勢，如變頻驅動(dòng)或晶閘管整流直流驅動(dòng)設備、計算機、重要負載所用的不間斷電源(UPS) 、節能熒光燈系統等，這些非線(xiàn)性負載將導致電網(wǎng)污染，電力品質(zhì)下降，引起供用電設備故障, 甚至引發(fā)嚴重火災事故等。 電力污染及電力品質(zhì)惡化主要表現在以下方面：電壓波動(dòng)、浪涌沖擊、諧波、三相不平衡等。 1.電源污染的危害 電源污染會(huì )對用電設備造成嚴重危害，主要有： 干擾通訊設備、計算機系統等電子設備的正常工
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高壓鈉燈電子鎮流器的研制
- 引言 高壓鈉燈（HPSL）[1]是高強度放電燈（HIDL——HighIntensityDischargeLamp）中的一種，因其具有極好的光效（80～140lm/W）和合適的光波長(cháng)，而被廣泛用于戶(hù)外照明，如廣場(chǎng)、道路、碼頭等。但是，傳統的電感式的鎮流器存在功率因數低和自身?yè)p耗大的缺點(diǎn)。大量低功率因數電器的使用，對電網(wǎng)造成諧波污染，不但增加了供發(fā)電設備的負荷，使供發(fā)電設施得不到充分利用，而且嚴重影響其它用電設備的正常運行。 綠色照明事業(yè)在世界范圍的蓬勃發(fā)展
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Allegro推出全橋式無(wú)刷直流電動(dòng)機驅動(dòng)器
- Allegro 推出用于驅動(dòng)器低電壓雙極無(wú)刷直流電動(dòng)機的全新全橋式電動(dòng)機驅動(dòng)器。電動(dòng)機整流可通過(guò)使用單個(gè)霍爾元件傳感器偵測極性交互環(huán)形磁鐵的旋轉位置來(lái)實(shí)現。高密度 CMOS 半導體工藝可確保整合所有必需的電子元件。有關(guān)電子元件包括霍爾元件傳感器、電動(dòng)機控制電路及全橋式輸出。已采用低電壓設計技術(shù)實(shí)現低至 1.8 V VDD 的器件功能。該完全集成的單芯片解決方案可增強可靠性（包括電池反接保護及輸出短路保護），且無(wú)需任何外部支持元件。&nb
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NS推出高精度可編程增益放大器
- 美國國家半導體公司(NS)宣布推出業(yè)界最高準確度的可編程增益放大器，其特點(diǎn)是可以大幅提高傳感器接口應用及數據采集系統的信號調節性能，適用于工業(yè)設備及測量?jì)x表等產(chǎn)品。 美國國家半導體這款型號為L(cháng)MP8100A的可編程增益放大器利用軟件調節增益，增益則由1V/V至16V/V，共分為16個(gè)步級，以1V/V作為一步級增減，而且在攝氏-40度至 125度的工業(yè)溫度范圍內操作，增益準確度保證可達0.03%。此外，美國國家半導體也推出型號為L(cháng)MP8100的半高精度級別可編
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飛兆推出單比特位雙向電壓轉換器
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業(yè)界唯一保證工作電壓范圍在3.6V至1.1V的單比特位雙向電壓轉換器FXLH1T45，可簡(jiǎn)化超便攜式、計算、通信和工業(yè)應用的設計。這款單比特位雙向電壓轉換器可在多個(gè)電壓級之間提供單向和雙向電壓轉換，從而實(shí)現在不同電壓級工作的處理器與電子子系統之間的無(wú)縫連接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的電壓，非常適合超便攜式應用的低功耗要求。 FXLH1T45采用飛兆半導體的超緊湊 (1.0
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電源管理與轉換的整合可簡(jiǎn)化電源系統設計
- 當今，面向電信及數據通信市場(chǎng)的先進(jìn)電子系統大量依賴(lài)于高性能、精細線(xiàn)度數字IC（FPGA、DSP和/或ASIC）快速有效地處理對時(shí)間敏感的數字數據。對更高帶寬的需求已迫使這些數字IC的制造商追求領(lǐng)先的工藝技術(shù)，以便在將功耗降至最低時(shí)優(yōu)化性能。但是，這一趨勢也產(chǎn)生了前幾代工藝中所沒(méi)有的多種電源管理問(wèn)題。降低內核電壓電平提高負載電流，采用亞100納米工藝技術(shù)實(shí)現的更小芯片尺寸使這些IC中的電流密度急劇增加。此外，分離的電壓層與多核架構的使用還迫使系統設計人員提供更多的獨特電壓層，以及在這些電壓之間提供特定的排序
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基于TPS54350型DC/DC變換器供電系統設計
- 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續輸出電流為3A時(shí)，輸入電壓范圍為4．5V~20V。該變換器極大地簡(jiǎn)化了負載電源管理的設計，使得設計人員可直接通過(guò)中壓總線(xiàn)(而不依賴(lài)額外的低電壓總線(xiàn))為數字信號處理器(DSP)、現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開(kāi)關(guān))DC／DC變換器的效率高達90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LCD)
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單端正激變壓器的設計
- 開(kāi)關(guān)電源變壓器是高頻開(kāi)關(guān)電源的核心元件。其作用為：磁能轉換、電壓變換和絕緣隔離。開(kāi)關(guān)變壓器性能的好壞不僅影響變壓器本身的發(fā)熱和效率，而且還會(huì )影響到高頻開(kāi)關(guān)電源的技術(shù)性能和可靠性。高頻開(kāi)關(guān)變壓器的設計主要包括兩部分：繞組設計及磁芯設計。本文將對應用在高頻下的單端正激變壓器的設計方法及磁芯的選擇給出較為詳細的論述。 1 單端正激變壓器原理 單端正激變壓器的原理圖如圖1所示。 單端正激變壓器又稱(chēng)"buck"轉換器。因其在原邊
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反饋的基本概念
- 反饋的基本概念 1 ．概述 反饋定義為：將放大電路輸出信號（電壓或電流）的部分或全部通過(guò)一定的電路（反饋電路）回送到輸入回路的反送過(guò)程。一個(gè)反饋放大器的框圖如圖 6.1 所示。 反饋放大電路的框圖 2 ．反饋放大器分類(lèi) (1) 根據輸出端取樣對象分類(lèi) 可分為電壓反饋和電流反饋兩類(lèi)。電壓反饋的反饋信號取自輸出電壓，反饋量與輸出電壓成正比。如圖 6.2 （ a ）和（ b ）。電流反饋的反饋信號取自輸出電流，反饋量與輸出電流成正比。如圖 8.2 （ c ）和（ d ）。 (2) 根據與
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PN 結的形成及特性
- ＰＮ結的形成 ?。?）當Ｐ型半導體和Ｎ型半導體結合在一起時(shí)，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴散的結果就使Ｐ區和Ｎ區中原來(lái)的電中性條件破壞了。Ｐ區一側因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負離子，Ｎ區一側因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱(chēng)為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區和Ｎ區交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區，這就是我們所說(shuō)的 ＰＮ結 。
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場(chǎng)效應管
- 絕緣柵場(chǎng)效應管的結構和符號 三極管稱(chēng)電流控制元件；場(chǎng)效應管稱(chēng)電壓控制元件。 場(chǎng)效應管具有輸入電阻高（最高可達 10 15 Ω）、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。
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