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模擬電子
模擬電子 文章 進(jìn)入模擬電子技術(shù)社區
模擬電子教學(xué)方法的改進(jìn)
- 在模擬電子技術(shù)教學(xué)內容方面,實(shí)際模擬電子線(xiàn)路從電子管電路、晶體管電路、集成電路已經(jīng)發(fā)生了巨大變化。從晶體管問(wèn)世到現在也就60年,但大規模及超過(guò)大規模集成電路已經(jīng)幾乎取代了分立的晶體管電路。模數混合的片上系統電路也管理使用,因此模擬電子技術(shù)的教學(xué)內容一直是一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。周老師剛才講的東西,實(shí)際我們學(xué)校也同樣存在。 模電比較難教,也比較難學(xué)。我們學(xué)校,模電一直被學(xué)生稱(chēng)為“魔電”。模擬電路的分析設計,一直是學(xué)生所厭惡的。學(xué)生重數字電路,輕模擬電路,喜歡軟件害怕硬件的現象普遍存在。因此,
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反饋的基本概念
- 反饋的基本概念 1 .概述 反饋定義為:將放大電路輸出信號(電壓或電流)的部分或全部通過(guò)一定的電路(反饋電路)回送到輸入回路的反送過(guò)程。一個(gè)反饋放大器的框圖如圖 6.1 所示。 反饋放大電路的框圖 2 .反饋放大器分類(lèi) (1) 根據輸出端取樣對象分類(lèi) 可分為電壓反饋和電流反饋兩類(lèi)。電壓反饋的反饋信號取自輸出電壓,反饋量與輸出電壓成正比。如圖 6.2 ( a )和( b )。電流反饋的反饋信號取自輸出電流,反饋量與輸出電流成正比。如圖 8.2 ( c )和( d )。 (2) 根據與
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半導體基礎技術(shù)小結
- 半導體基礎技術(shù)小結 1. 半導體有光敏、熱敏和摻雜特性。 2.PN 結具有單向導電性, P + N - 導通, P - N + 截止。 3. 二極管的內部就是一個(gè) PN 結,正向偏置導通,反向偏置截止。 4. 三極管內部有二個(gè) PN 結,三極管放大的實(shí)質(zhì)是以很小的基極電流控制較大的集電極電流。發(fā)射結正偏,集電結反偏,三極管工作在放大狀態(tài),在放大狀態(tài)時(shí) I C = β I B I E = I B + I C =( 1 + β ) I B 5. 場(chǎng)效應管是以很小的柵源電壓控制較大的漏極電流。
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PN 結的形成及特性
- PN結的形成 ?。?)當P型半導體和N型半導體結合在一起時(shí),由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ,這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴散 。但是,電子和空穴都是帶電的,它們擴散的結果就使P區和N區中原來(lái)的電中性條件破壞了。P區一側因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負離子,N區一側因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱(chēng)為 空間電荷 ,它們集中在P區和N區交界面附近,形成了一個(gè)很薄的空間電荷區,這就是我們所說(shuō)的 PN結 。
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場(chǎng)效應管
- 絕緣柵場(chǎng)效應管的結構和符號 三極管稱(chēng)電流控制元件;場(chǎng)效應管稱(chēng)電壓控制元件。 場(chǎng)效應管具有輸入電阻高(最高可達 10 15 Ω)、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。
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半導體基礎知識
- 半導體基礎知識 一、物體按導電能力分類(lèi) 導體: 導電能力強,如金屬。 絕緣體: 導電能力很差,如橡膠、陶瓷。 半導體: 導電能力介于導體與絕緣體之間。 二、半導體的原子結構 現代半導體材料主要使用硅和鍺(S i:14;G e:32),其外層 均有四個(gè)價(jià)電子,而原子核和除價(jià)電子外的內層電子組成慣性核。 其簡(jiǎn)化模型為: 三、半導體晶體結構 共價(jià)鍵制造半導體器件的硅和鍺是單晶材料,具有金剛石結構,每個(gè)原 子和相鄰四個(gè)原子結合,每個(gè)原子的外層四個(gè)價(jià)電子分別與相鄰的四個(gè) 原子的價(jià)電
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