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柵極感應
柵極感應 文章 進(jìn)入柵極感應技術(shù)社區
NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節點(diǎn)，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過(guò)2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強勁增長(cháng)，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長(cháng)，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿(mǎn)足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì )議的論文和2007
- 關(guān)鍵字： NAND 柵極感應 DDR MLC MLC
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柵極感應介紹
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