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雜散電感
雜散電感 文章 進(jìn)入雜散電感技術(shù)社區
雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
- 關(guān)鍵字： 雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性
如何測量功率回路中的雜散電感
- 影響IGBT和SiC MOSFET在系統中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線(xiàn)電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類(lèi)：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內部寄生電感，直流母線(xiàn)電容寄生電感，分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類(lèi)寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 雜散電感
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雜散電感介紹
目錄
1 影響
2 對高效IGBT逆變器設計的影響
影響
IGBT技術(shù)不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿(mǎn)足具體應用的需求。與逆變器設計應用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開(kāi)關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號器件優(yōu)化的主要動(dòng)力。這些型號包括具備快速開(kāi)關(guān)特性的T4芯片、具備軟開(kāi)關(guān)特性的P4芯片和開(kāi)關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。
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