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新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱(chēng)，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀(guān)環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計劃時(shí)間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠(chǎng)區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實(shí)現年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng)，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
- 關(guān)鍵字： 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
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