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鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設計 — 數?；旌想娐返牡凸脑O計方法(二)
- 近年來(lái)，鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節電池電壓高等優(yōu)點(diǎn)，獲得了廣泛應用，相應的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中，為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(cháng)電池的使用壽命，電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
- 關(guān)鍵字： 數?；旌想娐?/a> 低功耗設計 電池管理
鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設計 — 數?；旌想娐返牡凸脑O計方法(一)
- 近年來(lái)，鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節電池電壓高等優(yōu)點(diǎn)，獲得了廣泛應用，相應的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中，為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(cháng)電池的使用壽命，電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
- 關(guān)鍵字： 鋰離子電池管理 數?；旌想娐?/a> 局部轉換 門(mén)控時(shí)鐘
鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設計 — 基本名詞解釋
- 近年來(lái)，鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節電池電壓高等優(yōu)點(diǎn)，獲得了廣泛應用，相應的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中，為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(cháng)電池的使用壽命，電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
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數?；旌想娐吩O計與仿真難點(diǎn)盤(pán)點(diǎn)
- 數?；旌想娐吩O計當中，干擾源、干擾對象和干擾途徑的辨別是分析數?；旌显O計干擾的基礎。通常的電路中，模擬信號上由于存在隨時(shí)間變化的連續變化的電壓和電流有效成分，在設計和調試過(guò)程中，需要同時(shí)控制這兩個(gè)變量，而且他們對于外部的干擾更敏感，因而通常作為被干擾對象做分析;數字信號上只有隨時(shí)間變化的門(mén)限量化后的電壓成分，相比模擬信號對干擾有較高的承受能力，但是這類(lèi)信號變化快，特別是變化沿速度快，還有較高的高頻諧波成分，對外釋放能量，通常作為干擾源?！ ∽鳛楦蓴_源的數字電路部分多采用CMOS工藝，從而導致數字信號輸
- 關(guān)鍵字： 數?；旌想娐?/a> 仿真
聚焦產(chǎn)業(yè)整合背景下的大唐半導體
- 2014年3月，“大唐半導體設計有限公司”(簡(jiǎn)稱(chēng)“大唐半導體”)在北京注冊成立，作為大唐電信集成電路設計產(chǎn)業(yè)的統一平臺資源共享和資本運作，成為大唐電信集成電路設計產(chǎn)業(yè)資源整合的一個(gè)里程碑。 順應國際國內產(chǎn)業(yè)趨勢，實(shí)現企業(yè)內外資源整合 國際環(huán)境方面，目前全球集成電路產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入重大調整變革期，全球高增長(cháng)市場(chǎng)的競爭加速集中化。移動(dòng)通信是唯一一個(gè)兼具規模和增速優(yōu)勢的IC應用市場(chǎng)，成為半導體的最大驅動(dòng)力。移動(dòng)互聯(lián)將驅動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)鏈結構向虛擬ID
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鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設計 — 數?；旌想娐返牡凸?/a>
- 2.1數字電路的低功耗設計2.1.1數字電路的功耗模型和影響因素以圖2.1.1所示的最基本的反相器單元為例，CMOS...
- 關(guān)鍵字： 鋰離子 電池管理 數?；旌想娐?/a>
數?；旌想娐返腜CB設計
- 高速PCB 設計中，數?；旌想娐返腜CB設計中的干擾問(wèn)題一直是一個(gè)難題。尤其模擬電路一般是信號的源頭，能否正確接收和轉換信號是PCB設計要考慮的重要因素。文章通過(guò)分析混合電路干擾產(chǎn)生的機理，結合設計實(shí)踐，探討了
- 關(guān)鍵字： PCB 數?；旌想娐?/a>
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數?；旌想娐方榻B
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對數?；旌想娐返睦斫?，并與今后在此搜索數?；旌想娐返呐笥褌兎窒?。 創(chuàng )建詞條
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