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安森美半導體
安森美半導體 文章 進(jìn)入安森美半導體技術(shù)社區
安森美半導體推出最新GreenPoint ATX參考設計
- 安森美半導體(ON Semiconductor)推出最新的ATX電源公開(kāi)參考設計。這款255瓦(W)參考設計超越美國80 PLUS銀級、“能源之星”(ENERGY STAR ®) 5.0版及計算產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計劃(CSCI)第三階段臺式個(gè)人電腦(PC)電源能效標準。這新的參考設計在真實(shí)世界工作條件下提供更高的能效，并且它的配置可立即被投入生產(chǎn)。這設計為電源制造商提供一個(gè)藍圖，使他們能以現有高性?xún)r(jià)比的技術(shù)把高能效電源上市。 安森美半導體的參考設計在50%負載、23
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安森美半導體推出8款新器件用于消費和工業(yè)應用
- 2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專(zhuān)門(mén)為中等電壓開(kāi)關(guān)應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅動(dòng)、LED驅動(dòng)器、電源、轉換器、脈寬調制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。 這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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安森美半導體推出高質(zhì)量AB類(lèi)音頻放大器
- 2008年11月11日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新一代的AB類(lèi)音頻放大器NCP2991，專(zhuān)為便攜和無(wú)線(xiàn)應用提供優(yōu)異的音頻性能而不會(huì )犧牲能效。 安森美半導體數字及消費產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Manor Narayanan說(shuō)：“手機或便攜媒體設備具備清晰、無(wú)噪聲的音頻輸出，對于用戶(hù)滿(mǎn)意度至關(guān)重要。然而，硬件設計人員通常會(huì )遇到意料之外的源自音頻系統的噪聲問(wèn)題。安森美半導體新的AB類(lèi)放大器
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安森美半導體專(zhuān)家在靜電放電保護技術(shù)研討會(huì )作主題報告
- 2008年11月4日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術(shù)研討會(huì )上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來(lái)的損失，從元件、制造和系統三個(gè)層級的技術(shù)面加以探討，為業(yè)界提供實(shí)質(zhì)建議。要有效降低ESD所帶來(lái)的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長(cháng)期投入于研發(fā)ESD保護技術(shù)，通過(guò)先進(jìn)的ESD保護技術(shù)和完整的產(chǎn)品系列
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安森美半導體推出下一代高速電信設備用浪涌保護器件系列
- 2008年10月10日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的低電容晶閘管浪涌保護器件(TSPD)系列，專(zhuān)為保護下一代高速電信設備而設計。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力，同時(shí)維持低電容和低泄漏，是先進(jìn)電信產(chǎn)品的極佳組合。 NP0080、NP0120和NP0160低電容、低泄漏TSPD器件采用節省空間的TSOP-5封裝，保護數字用戶(hù)線(xiàn)路(DSL)芯片組和線(xiàn)路驅動(dòng)器。雖然在正常電路工
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安森美半導體提供業(yè)界最高功率集成PoE用電設備接口
- 2008年10月8日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出以太網(wǎng)供電(PoE)產(chǎn)品系列的兩款新品——NCP1080和NCP1081。NCP1081是業(yè)界最高功率集成以太網(wǎng)供電用電設備(PoE-PD)，功率范圍廣，以2對配置為應用負載提供達40瓦(W)穩壓功率。兩款器件都完全支持IEEE 802.3af標準。NCP1081更支持包含兩個(gè)事件物理層分類(lèi)，最新批準的IEEE 802.3at草案
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安森美半導體推出新的處理自動(dòng)化收發(fā)器
- 2008年10月9日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出AMIS-49200介質(zhì)連接器(MAU)的一款新派生產(chǎn)品——AMIS-49250。與AMIS-49200相比，AMIS-49250節省達66%的額外電路板空間。這器件是安森美半導體處理自動(dòng)化收發(fā)器產(chǎn)品線(xiàn)的一環(huán)，用于石油精煉、化學(xué)處理和水處理廠(chǎng)等極講究安全的應用。 安森美半導體擁有寬廣的收發(fā)器產(chǎn)品線(xiàn)，并在為
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愛(ài)爾蘭副總理和安森美半導體宣布在Limerick設立新的研發(fā)中心
- 2008年7月15日 – 愛(ài)爾蘭副總理兼企業(yè)貿易與職業(yè)部部長(cháng)Mary Coughlan TD和總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯的高性能高能效硅解決方案領(lǐng)先供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布，在愛(ài)爾蘭工業(yè)發(fā)展局(IDA Ireland)的支持下，安森美半導體于愛(ài)爾蘭Limerick的Raheen Business Park設立新的研發(fā)中心。這研發(fā)中心將為半導體設計師和工程師創(chuàng )造49個(gè)職位。 安森美半導體在全球設計、制造和營(yíng)銷(xiāo)電源和數
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愛(ài)爾蘭副總理和安森美半導體宣布在Limerick設立新的研發(fā)中心
- 愛(ài)爾蘭副總理兼企業(yè)貿易與職業(yè)部部長(cháng)Mary Coughlan TD和總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯的高性能高能效硅解決方案領(lǐng)先供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布，在愛(ài)爾蘭工業(yè)發(fā)展局(IDA Ireland)的支持下，安森美半導體于愛(ài)爾蘭Limerick的Raheen Business Park設立新的研發(fā)中心。這研發(fā)中心將為半導體設計師和工程師創(chuàng )造49個(gè)職位。 安森美半導體在全球設計、制造和營(yíng)銷(xiāo)電源和數據管理半導體及標準半導體元器件。位于L
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安森美半導體以超低電容技術(shù)擴充ESD保護產(chǎn)品系列
- 全球領(lǐng)先的電源管理和電路保護半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產(chǎn)品系列，推出兩款業(yè)界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導體專(zhuān)有的集成ESD保護平臺設計，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。 ESD7L5.0D采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝，保護每條線(xiàn)路0.5皮法(pF)電容的兩
- 關(guān)鍵字： 安森美半導體 RF ESD
安森美半導體發(fā)布2008年第1季度業(yè)績(jì)
- 2008年第1季度公司整體摘要: •2008年3月17日完成收購AMIS Holdings, Inc. •收購增加了2008年第1季度非公認會(huì )計原則每股全面攤薄凈收入 •償還AMIS Holdings的2.77億美元優(yōu)先銀行融資 •總收入為4.219億美元 •公認會(huì )計原則毛利率為34.7% •非公認會(huì )計原則毛利率為37.6% •公認會(huì )計原則每股全面攤薄凈收入為0.07美元 •
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安森美半導體介紹
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