安森美半導體以超低電容技術(shù)擴充ESD保護產(chǎn)品系列

　　全球領(lǐng)先的電源管理和電路保護半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產(chǎn)品系列，推出兩款業(yè)界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導體專(zhuān)有的集成ESD保護平臺設計，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。

　　ESD7L5.0D采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝，保護每條線(xiàn)路0.5皮法(pF)電容的兩條高速數據線(xiàn)路。將安森美半導體的低電容技術(shù)集成至3引腳封裝為設計人員提供以單個(gè)器件保護USB2.0端口D+和D-線(xiàn)路的解決方案。ESD7L5.0D也能夠連接陰極至陰極，保護0.25 pF電容的一條雙向線(xiàn)路，非常適用于保護高頻射頻(RF)天線(xiàn)線(xiàn)路。

　　NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封裝，保護每條線(xiàn)路0.7 pF的4條高速數據線(xiàn)路和2條Vcc電源線(xiàn)路。使設計人員能夠采用單個(gè)集成器件保護兩個(gè)USB端口上的D+和D-線(xiàn)路及Vcc線(xiàn)路。

　　這兩款新器件的主要特點(diǎn)，都來(lái)自安森美半導體傲視同儕的專(zhuān)有技術(shù)。ESD7L5.0D和NUP4212能夠將15千伏(kV)的輸入ESD波形在數納秒(ns)內鉗位至低于7伏(V)，確保當今的對ESD敏感的集成電路(IC)具有最高水平的保護。諸如聚合物和陶瓷壓敏電阻等其它低電容片外ESD保護技術(shù)也提供低電容，但它們的ESD鉗位電壓遠高于安森美半導體的解決方案。此外，安森美半導體這些硅器件沒(méi)有無(wú)源技術(shù)的磨損問(wèn)題，在經(jīng)受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不會(huì )受到影響。

　　安森美半導體標準產(chǎn)品部全球市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁麥滿(mǎn)權說(shuō)：“安森美半導體推出針對高速數據應用的超低電容產(chǎn)品，持續擴大我們在高性能ESD保護解決方案的領(lǐng)先地位。下一代便攜應用需要在越來(lái)越高的數據率下具有更高的性能和更大的設計靈活性。安森美半導體不斷配合這個(gè)趨勢，推出完整的低電容ESD保護解決方案系列。”

　　采用這個(gè)技術(shù)平臺的首款產(chǎn)品ESD9L5.0S以技術(shù)、應用和設計創(chuàng )新方面的巨大進(jìn)步而榮獲美國《Electronic Products》雜志以及中國《今日電子》雜志各頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎。

　　ESD7L5.0DT5G采用SOT-723封裝，每8,000片的批量單價(jià)為0.20美元。NUP4212采用UDFN-6封裝，每3,000片的批量單價(jià)為0.608美元。

　　更多技術(shù)信息請訪(fǎng)問(wèn)安森美半導體電路保護網(wǎng)站http://www.onsemi.com.cn/circuitprotection或聯(lián)系麥滿(mǎn)權(電郵：M.K.Mak@onsemi.com)。