- 電路的功能穩定度好的基準電壓應用范圍很廣，它涉及到所有的模擬電路。本電路采用了產(chǎn)生基準電壓。當然也可用普通齊納二極管代替專(zhuān)用IC?？梢哉f(shuō)這是具有通用性的基準電壓發(fā)生器。電路工作原理OP放大器采用單一電源，
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功能 原理 介紹 電路 發(fā)生 10V 基準 電壓 2.5
- 電路的功能產(chǎn)生基準電壓用的二極管，如果采用溫度補償式，就須加大偏流，如NEC公司的IS2190系列產(chǎn)品，必須有10MA的偏流，該偏流不是由電源供給的，而是由輸出端供給的，這樣即使電源變動(dòng)，也能保證穩定工作，另外因為
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發(fā)生 電路 功能 原理 電壓 基準 補償 齊納 二極管 10V
- 電路的功能這種PWM式的D-A轉換器，數據范圍為0~255（8位二進(jìn)制），因此能以10MV為一步，產(chǎn)生0~2.55V的電壓另外通過(guò)改變電阻R2可使滿(mǎn)量程電壓在10V以?xún)入S意設定。電壓變化取決于脈沖占空比，因此，只要基準電壓穩定，
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電壓 功能 原理 分析 電路 基準 準確 PWM 步進(jìn) 發(fā)生
- 目前，基準電壓源被廣泛應用與高精度比較器，A/D，D/A轉換器，動(dòng)態(tài)隨機存儲器等集成電路中?；鶞孰妷涸词羌呻娐分幸粋€(gè)重要的單元模塊。它產(chǎn)生的基準電壓精度，溫度穩定性和抗噪聲干擾能力直接影響到芯片，甚至整個(gè)
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基準 技術(shù) 介紹 電壓 設計 Pipeline ADC 14位
- 本文采用一種低電壓帶隙基準結構。在TSMC0．13mu;m CMOS工藝條件下完成，包括核心電路、運算放大器、偏置及啟動(dòng)電路的設計，并用Cadence Spectre對電路進(jìn)行了仿真驗證?；鶞孰妷菏菙的；旌想娐吩O計中一個(gè)不可缺少的
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電壓 方法 設計 基準 供電 電路
- 在要求絕對測量的應用場(chǎng)合，其準確度受使用基準值的準確度的限制。但是在許多系統中穩定性和重復性比絕對精度更重要;而在有些數據采集系統中電壓基準的長(cháng)期準確度幾乎完全不重要，但是如果從有噪聲的系統電源中派生基
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設計 電壓 基準 精密
- 摘要：為了滿(mǎn)足深亞微米級集成電路對低溫漂、低功耗電源電壓的需求，提出了一種在0．25mu;m N阱CMOS工藝下，采用一階溫度補償技術(shù)設計的CMOS帶隙基準電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構成，實(shí)現了VBE和VT的線(xiàn)性
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研究 電壓 基準 CMOS 低溫
- 通常我們選用穩壓二極管作為基準電壓源，這是最簡(jiǎn)單、也是最傳統的方法，按照所需電壓值選一個(gè)對應型號的穩壓管當然可以，但選得是否合適、是否最佳，卻大有講究?！ ∽罨镜碾妷夯鶞试措娐啡鐖D1(a)、穩壓管的擊穿
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介紹 選用 設計 電壓 基準
- 摘要：本文針對傳統基準電壓的低PSR以及低輸出電壓的問(wèn)題，通過(guò)采用LDO與帶隙基準的混合設計，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準。此帶隙基準的1.186 V輸出電壓在低頻時(shí)PSR
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實(shí)現 基準 PSR
- 1 引 言 隨著(zhù)各種便攜式移動(dòng)通信和計算產(chǎn)品的普及，對電池的需求大大加強，但是電池技術(shù)發(fā)展相對落后，降低電路的功耗成為IC設計關(guān)注的一個(gè)焦點(diǎn);電路的功耗會(huì )全部轉換成熱能，過(guò)多的熱量會(huì )產(chǎn)生焦耳熱效應，加劇硅
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基準 設計 電壓 電流 消耗 380nA 最大
- 摘要 設計了一款帶隙基準電壓源，基于0．18mu;m的CMOS工藝，在Hspice下仿真，仿真結果表明，溫度在-25～80℃內變化時(shí)，溫度系數為9．14times;10-6℃；電源電壓在3～5 V之間變化時(shí)，基準電壓在1 250plusmn;43 mV內
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仿真 設計 電壓 基準
- 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數和仿真結果。
關(guān)鍵詞：基準電壓；CMOS集成電路；Hspice
0 引言
模擬電路廣泛
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仿真 分析 電壓 基準 CMOS
- 但是，由于本設計采用LDO供電，而LDO的參考電壓是bg，存在死循環(huán)，即bg低，則LDO低，所以基準核心的VQC5無(wú)法給VQCS2提供電流，也就無(wú)法提高VQC2的電壓即bg，因此需要外界提供大電流bias-start，使得當LDO無(wú)法啟動(dòng)基
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方案 設計 基準 抑制 電源
- 摘要：本文針對傳統基準電壓的低PSR以及低輸出電壓的問(wèn)題，通過(guò)采用LDO與帶隙基準的混合設計，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準。此帶隙基準的1．186 V輸出電壓在低頻時(shí)PS
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設計 基準 抑制 電源
- 基準電壓源可廣泛應用于A(yíng)/D、D/A轉換器、隨機動(dòng)態(tài)存儲器、閃存以及系統集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
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設計 電壓 基準 CMOS 0.18
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