高電源抑制的基準源的設計方案
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本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/178787.htm 但是，由于本設計采用LDO供電，而LDO的參考電壓是bg，存在死循環(huán)，即bg低，則LDO低，所以基準核心的VQC5無(wú)法給VQCS2提供電流，也就無(wú)法提高VQC2的電壓即bg，因此需要外界提供大電流bias-start，使得當LDO無(wú)法啟動(dòng)基準核心時(shí)，此電流可以足夠大，在RC4上產(chǎn)生的壓降使bg達到足夠大，繼而LDO達到使基準核心啟動(dòng)所需的最低電壓，從而使電路進(jìn)入自動(dòng)修正狀態(tài)，最終使bg和ref達到指定電壓。 這樣雖然能啟動(dòng)，但是，正常工作時(shí)，此大啟動(dòng)電流bias-start將通過(guò)VQCS1和VQCS3流向地，增加了系統的負擔。因此，在電流輸出管MB3下加入控制管MBC，并使得在正常工作時(shí)，LDO的高電壓足以使MBC關(guān)斷，從而降低啟動(dòng)電路的損耗。 2 仿真與分析 本次設計的仿真基于A(yíng)SMC的1 μm的高壓BCD工藝。 2.1 啟動(dòng)仿真 圖4是工藝角為tt，t=27℃時(shí)的啟動(dòng)仿真，此基準需要3 μs就可建立正常狀態(tài)，這是由于基準核心中的Cc1選取為比較小的2 pF的結果，這樣做的另一個(gè)結果就是中頻PSR有所降低，實(shí)際電路可根據需要選取Cc1的大小，如果需要中頻PSR較大，但對啟動(dòng)時(shí)間要求較低時(shí)，可以選取大Cc1（如Cc1選取10pF，則最高PSR將降為-28dB，但啟動(dòng)時(shí)間升至10μs）。LDO、ref、bg的啟動(dòng)過(guò)程比較平穩，沒(méi)有過(guò)沖現象。 MBC控制作用的簡(jiǎn)述：在1μs時(shí)流過(guò)100μA的啟動(dòng)電流，當LDO、ref、bg建立最低工作電壓后，啟動(dòng)電路開(kāi)始關(guān)斷過(guò)程，電流急劇減小，并最終在2μs時(shí)接近0A。整個(gè)電路正常運行時(shí)消耗的電流是266μA。
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