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可控硅（scr）
可控硅（scr） 文章 進(jìn)入可控硅（scr）技術(shù)社區
Littelfuse新推高溫Alternistor三端雙向可控硅簡(jiǎn)化熱管理并抑制高浪涌
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出兩個(gè)系列的高溫Alternistor三端雙向可控硅，成為該公司晶閘管產(chǎn)品組合中的最新產(chǎn)品。 16A QJxx16xHx系列和25A QJxx25xHx系列產(chǎn)品的最高結溫為150°C，專(zhuān)為交流開(kāi)關(guān)而設計，可幫助電路設計師應對散熱有限或無(wú)散熱的交流電源控制應用發(fā)生過(guò)熱的難題。 憑借高峰值、單周期交流電流脈沖額定值，其可耐受加熱器和電機控制應用中更高的突入電流?！ Jxx16Hx
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可控硅驅動(dòng)電路
- 可控硅驅動(dòng)電路MOC3061在熱線(xiàn)開(kāi)關(guān)中的應用電路如圖2所示,在可控硅驅動(dòng)中的實(shí)際電路如圖3所示。圖中R1為限流電阻,使輸入的LED電流分別為15mA(MOC3061)、10mA(MOC3062)、5mA(MOC3063)即可。R1可按下式計...
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KJ009組成的可控硅過(guò)零觸發(fā)器應用電路圖
- 可控硅過(guò)零觸發(fā)器KJ009組成的應用電路圖KJ009的基本性能與KJ004相同，可以互換使用。由于器件內部采用了反向阻斷四級硅晶閘管作脈沖記憶，提高了抗干擾能力和觸發(fā)脈沖的前沿陡度，脈沖的寬度有較大的調節范圍。該電路適用...
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正負電源基礎知識以及如何符合雙向可控硅觸發(fā)要求
- 摘要 電源電壓在某些情況下被視為正電壓或者負電壓。對于不經(jīng)常跟雙向可控硅開(kāi)關(guān)管打交道的人來(lái)說(shuō)，“負電源”聽(tīng)起來(lái)怪怪的，畢竟集成電路從來(lái)不使用負電壓。 在有些情況下，雙向可控硅驅動(dòng)電路優(yōu)先選用負電壓。本文介紹幾個(gè)簡(jiǎn)單的雙向可控硅正電源驅動(dòng)解決方案。 正電源和負電源 如果功率半導體控制電路需要使用電源，且驅動(dòng)參考端子連至市電(相線(xiàn)或零線(xiàn)端子)，則需要使用非隔離電源。 雙向可控硅、ACST、ACS或SCR(可控硅整流管)等交流開(kāi)關(guān)的觸發(fā)電路就屬于這種情況
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雙向可控硅噪聲抑制的基本原理和新的低成本的dV/dt性能改進(jìn)解決方案
- 從上個(gè)世紀70年代開(kāi)始，雙向可控硅(又稱(chēng)三端雙向晶閘管)一直用于控制交流負載，幾乎在所有電器上都能看到雙向可控硅。當終端設備上的電壓上升速率過(guò)快時(shí)，雙向可控硅將會(huì )自動(dòng)觸發(fā)，從那時(shí)起，設計人員就必須面對雙向可控硅的這個(gè)特性。當設計對電壓快速瞬變有要求的電器時(shí)，必須考慮這個(gè)問(wèn)題。 半導體易受到dV/dt變化速率的影響 功率半導體器件由多個(gè)半導體層組成。例如，雙向可控硅是四層結構交流開(kāi)關(guān)元件，每層是半個(gè)祼片，每層通過(guò)交替摻雜方法控制空穴濃度(P區)或自由電子濃度(N區)，形成兩個(gè)單向可控硅。因此
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教你快速判別出可控硅的不同幾個(gè)極
- 由于可控硅也涉及到三極管的問(wèn)題，因此很多設計者在初期都無(wú)法準確掌握可控硅當中極的判別。實(shí)際上對于這一問(wèn)題只要采用萬(wàn)用表就可以順利解決。在本文中小編就將為大家介紹使用萬(wàn)用表來(lái)快速判別可控硅三個(gè)極的方法?！ ?、雙向可控硅的判別 先任測兩個(gè)極，若正、反測指針均不動(dòng)(R×1擋)，可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙
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可控硅（scr）介紹
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