可控硅驅動(dòng)電路

可控硅驅動(dòng)電路

MOC3061在熱線(xiàn)開(kāi)關(guān)中的應用電路如圖2 所示, 在可控硅驅動(dòng)中的實(shí)際電路如圖3 所示。圖中R1 為限流電阻,使輸入的L ED電流分別為15mA (MOC3061)、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。R1 可按下式計算:

當增加。
R2 是雙向可控硅的門(mén)極電阻,當可控硅靈敏度較高時(shí), 門(mén)極阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干擾能力。
R3 是觸發(fā)功率雙向可控硅的限流電阻,其值由交流電網(wǎng)電壓峰值及觸發(fā)器輸出端允許重復沖擊電流峰值決定,可按下式選取:

外39Ω 電阻和0. 01μF 電容組成浪涌吸收電路,防止浪涌電壓損壞雙向可控硅。建議用該電路驅動(dòng)兩個(gè)反并聯(lián)(背對背)的可控硅開(kāi)關(guān)(元件) ,圖中穩壓管可選用1N4001,電阻R2和R3 可選擇300Ω。