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制造工藝
制造工藝 文章 進(jìn)入制造工藝技術(shù)社區
漲知識！氮化鎵（GaN）器件結構與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結構的不同，本文通過(guò)深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進(jìn)行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說(shuō)明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN HEMT是基于A(yíng)lGaN/GaN異質(zhì)結，目前市面上還未出現G
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半導體制造工藝——挑戰與機遇
- 半導體元件制造涉及到一系列復雜的制作過(guò)程，將原材料轉化為成品元件，以應用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應用的需求?！狝ndreas Bier | Sr Principal Product Marketing Specialist半導體制造涉及一系列復雜的工藝過(guò)程，從而將原材料轉化為最終的成品元件。該工藝通常包括四個(gè)主要階段：晶片制造、晶片測試組裝或封裝以及最終測試。每個(gè)階段都有其獨特的攻堅點(diǎn)和機遇。而其制造工藝也面臨著(zhù)包括成本、復雜多樣性和產(chǎn)量在內的諸多挑戰，但也為創(chuàng )新和發(fā)展帶來(lái)了巨大的機遇。通過(guò)應對其中
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黃仁勛盛贊英特爾下一代制造工藝，有望委托代工英偉達 AI 芯片
- 5 月 30 日消息，黃仁勛昨天出席臺北電腦展主題演講后，今天再度現身與全球記者及分析師進(jìn)行問(wèn)答，共有約 150 名來(lái)自國內外記者及分析師出席。他表示：公司供應鏈將力求實(shí)現多元化，而這一點(diǎn)目前已經(jīng)做到了。H100 是由臺積電代工生產(chǎn)，部分產(chǎn)品也由三星代工生產(chǎn)，并表示對未來(lái)與英特爾合作搭載人工智能芯片持開(kāi)放態(tài)度。黃仁勛透露，該公司最近已經(jīng)收到了基于英特爾下一代工藝節點(diǎn)的制造的測試芯片，測試結果良好?！澳阒?，我們也在和三星合作生產(chǎn)，我們也愿意和英特爾合作。帕特?格爾辛格之前表示正在評估該工藝，我們最近收到了
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TechInsights：關(guān)于納米的謊言
- 代工廠(chǎng)放任客戶(hù)編造制造工藝謊言許多人偶爾會(huì )謊報自己的年齡或體重，但若公司出現了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構成了品牌稀釋。最近的半導體市場(chǎng)就出現了這種情況，當時(shí)，兩家領(lǐng)先的代工廠(chǎng)都放任客戶(hù)聲稱(chēng)他們采用了4納米工藝，而實(shí)際使用的卻仍是5納米技術(shù)。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠(chǎng)。而這背后，也意味著(zhù)晶體管發(fā)展的緩慢。這個(gè)問(wèn)題最初始于三星。在與臺積電下一個(gè)節點(diǎn)的長(cháng)期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產(chǎn)4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節點(diǎn)之間用兩年時(shí)間，在2
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提高射頻功率放大器效率的技術(shù)路線(xiàn)及其比較
- 在向著(zhù)4G手機發(fā)展的過(guò)程中，便攜式系統設計工程師將面臨的最大挑戰是支持現有的多種移動(dòng)通信標準，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，與此同時(shí)，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數據率以及支持OFDMA調制、支持MIMO天線(xiàn)技術(shù)，乃至支持VoWLAN的組網(wǎng)，因此，在射頻信號鏈設計的過(guò)程中，如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導體行業(yè)的競爭焦點(diǎn)之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現三條技術(shù)路線(xiàn)，本文就這三條技術(shù)路線(xiàn)進(jìn)行簡(jiǎn)要的比較。 利用超CMOS工藝，從提高集成度來(lái)間接提升P
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半導體集成電路的發(fā)展及封裝工藝面臨的挑戰
- 半導體芯片結構尺寸的縮小使得RC延遲成為制約集成電路性能進(jìn)一步提高的關(guān)鍵性因素。轉向低k銅工藝技術(shù)是業(yè)界給出的解決方案。雙大馬士革工藝取代了傳統的鋁“減”工藝，成為低k銅互連材料的標準制造工藝。 為了能與芯片制造工藝完美結合，不產(chǎn)生可靠性問(wèn)題，低k絕緣材料必須具備一系列期望的材料特性，對低k材料研發(fā)本身的挑戰在于：在獲得所需要的低介電常數的同時(shí)，低k材料還必須滿(mǎn)足良好的熱和機械特性。但目前并沒(méi)有完全符合這些期望特性的低k材料被制造出來(lái)，因而給半導體制造工藝帶來(lái)了挑戰。
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便攜式產(chǎn)品的單芯化成為趨勢
- 市場(chǎng)需求和技術(shù)支撐組成了便攜式產(chǎn)品走向全面單芯化的雙重推動(dòng)力。用于便攜式產(chǎn)品的SoC正在大規模地包容包括ADC和PLL在內的模擬電路，單芯化設計有助于減少元件數量、芯片占板面積、BOM以及芯片功耗等。 集眾多數字和模擬技術(shù)與一身的手機芯片是單芯化設計趨勢的一個(gè)縮影。一個(gè)集成了基帶、RF收發(fā)器、SRAM和PMU的SoC就幾乎組成一個(gè)完整的手機芯片方案。TI、英飛凌、NXP和高通已經(jīng)陸續推出了多個(gè)面向2G、2.5G和3G的單芯片方案。 即便是作為手機附屬功能，Wi-Fi和AM/FM接收器的
- 關(guān)鍵字： 消費電子 單芯片 制造工藝 便攜式 消費電子
制造工藝介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條制造工藝!
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