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“復旦大學(xué)”“新華書(shū)店”
“復旦大學(xué)”“新華書(shū)店” 文章 進(jìn)入“復旦大學(xué)”“新華書(shū)店”技術(shù)社區
復旦大學(xué)研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！
- 近日，復旦大學(xué)團隊研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫(xiě)速度達到亞納秒級別，比現有技術(shù)快1萬(wàn)倍，數據保存年限據實(shí)驗外推可達十年以上。相關(guān)研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學(xué)集成芯片與系統全國重點(diǎn)實(shí)驗室、芯片與系統前沿技術(shù)研究院的周鵬-劉春森團隊完成。周鵬教授現任復旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(cháng)，長(cháng)期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔任論文通訊作者。傳統閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質(zhì)量和聲子散射等因素，導致熱載流子注入效率
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全球首發(fā)，復旦大學(xué)團隊研制二維半導體芯片“無(wú)極”
- 4 月 2 日消息，復旦大學(xué)集成芯片與系統全國重點(diǎn)實(shí)驗室周鵬、包文中聯(lián)合團隊成功研制全球首款基于二維半導體材料的 32 位 RISC-V 架構微處理器“無(wú)極”。據介紹，該成果突破二維半導體電子學(xué)工程化瓶頸，首次實(shí)現 5900 個(gè)晶體管的集成度，并在國際上實(shí)現二維邏輯芯片最大規模驗證紀錄，是由復旦團隊完成、具有自主知識產(chǎn)權的國產(chǎn)技術(shù)，使我國在新一代芯片材料研制中，占據先發(fā)優(yōu)勢?！胺聪嗥魇且粋€(gè)非?；A且重要的邏輯電路，它的良率直接反映了整個(gè)芯片的質(zhì)量?！睆偷┐髮W(xué)微電子學(xué)院教授周鵬介紹，二維材料不像硅晶圓可以通
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復旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索
- 異質(zhì)異構Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數據處理的重要技術(shù)路線(xiàn)之一，正引起整個(gè)半導體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現商業(yè)化，仍有賴(lài)于通用標準協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類(lèi)比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴(lài)追求應用多樣性、多功能特點(diǎn)的現實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng )新研究，并在近期國內重要會(huì )議上進(jìn)行報道。復旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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致敬《流浪地球》 復旦發(fā)布國內首個(gè)類(lèi)ChatGPT模型MOSS：未來(lái)將開(kāi)源代碼
- 從復旦大學(xué)自然語(yǔ)言處理實(shí)驗室獲悉，國內首個(gè)對話(huà)式大型語(yǔ)言模型MOSS已由邱錫鵬教授團隊發(fā)布至公開(kāi)平臺（ https://moss.fastnlp.top/ ），邀公眾參與內測。復旦MOSS公開(kāi)后，引起不少網(wǎng)友關(guān)注，由于瞬時(shí)訪(fǎng)問(wèn)壓力過(guò)大，MOSS服務(wù)器昨晚還被網(wǎng)友擠崩潰了。從MOSS官網(wǎng)獲悉，官方發(fā)布公告稱(chēng)，團隊最初的想法只是將MOSS進(jìn)行內測，以便進(jìn)一步優(yōu)化， 沒(méi)想到會(huì )引起這么大關(guān)注，我們的計算資源不足以支持如此大的訪(fǎng)問(wèn)量， 并且作為學(xué)術(shù)團隊也沒(méi)有相關(guān)工程經(jīng)驗，造成不好的體驗向大家致歉
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復旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，集成度翻倍并實(shí)現卓越性能
- IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統集成電路技術(shù)使用平面展開(kāi)的電子型和空穴型晶體管形成互補結構，從而獲得高性能計算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來(lái)實(shí)現。例如，大家最常見(jiàn)的案例就是半導體行業(yè)的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實(shí)際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據復旦大學(xué)微電子學(xué)院官方公告，該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬(wàn)景團隊繞過(guò) EUV 工藝，研發(fā)出性能優(yōu)異的異質(zhì) CFET 技術(shù)
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復旦大學(xué)盧紅亮教授團隊在新型氣敏材料及MEMS氣敏器件研究中取得新進(jìn)展
- 近日，復旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮（通訊作者）領(lǐng)導的團隊首次結合硬模板法、原子層沉積技術(shù)和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線(xiàn)的多級異質(zhì)復合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對濃度低至1ppm的硫化氫實(shí)現了超靈敏和高選擇性的探測。相關(guān)成果以《Hierarchical highly ordered SnO2 nanobowls branched ZnO nanowires for ultrasensitive and selective hydrogen sulfi
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復旦大學(xué)梅永豐課題組研發(fā)柔性薄膜組裝集成芯片傳感器
- 硅芯片是當代信息技術(shù)的核心，當前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個(gè)方向發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用是“超越摩爾”技術(shù)路線(xiàn)中相當重要的一環(huán)，需要數量巨大的集成電路芯片來(lái)分析處理來(lái)自外部傳感器件的海量信號。目前，大多數傳感信號采集器件和信號處理單元均為分離設計，將在整體上產(chǎn)生更大功耗并占據更大的空間。由此，復旦大學(xué)材料科學(xué)系教授梅永豐課題組提出了將信號檢測和分析功能集成于同一個(gè)芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團隊將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材
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復旦大學(xué)率先試點(diǎn)設立集成電路科學(xué)與工程一級學(xué)科
- 近日，復旦大學(xué)面向國家重大戰略需求，加快集成電路人才培養邁出重要一步?！凹呻娐房茖W(xué)與工程” 博士學(xué)位授權一級學(xué)科點(diǎn)將于2020年試點(diǎn)建設，并啟動(dòng)博士研究生招生。
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復旦大學(xué)與華為簽署戰略合作協(xié)議
- 近日，復旦大學(xué)與華為簽署戰略合作協(xié)議。雙方將圍繞國家創(chuàng )新驅動(dòng)發(fā)展戰略，在聯(lián)合科研創(chuàng )新、人才培養與交流、智慧校園建設等方面開(kāi)展更深層次的合作。
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復旦大學(xué)獲批建設國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng )新平臺
- 集成電路技術(shù)是信息社會(huì )的基礎，也是國家綜合實(shí)力的關(guān)鍵標志之一。為了加快集成電路領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)的攻關(guān)，加強集成電路"卡脖子"技術(shù)領(lǐng)域人才培養，國家發(fā)改委、工信部、教育部根據《國家集成電路發(fā)展推進(jìn)綱要》和《教育部等七部門(mén)關(guān)于加強集成電路人才培養的意見(jiàn)》，積極推進(jìn)在中央高校建設國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng )新平臺。近日，教育部發(fā)文，正式批復同意復旦大學(xué)承擔的"國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng )新平臺"項目可研報告。
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盤(pán)點(diǎn)中國大陸系微控制器（MCU）廠(chǎng)商（一）
- 上海復旦微電子集團股份有限公司 1998年7月，由復旦大學(xué)“專(zhuān)用集成電路與系統國家重點(diǎn)實(shí)驗室”、上海商業(yè)投資公司和一批夢(mèng)想創(chuàng )建中國最好的集成電路設計公司(芯片設計)的創(chuàng )業(yè)者聯(lián)合發(fā)起創(chuàng )建了復旦微電子。MCU主要產(chǎn)品有：16位微控制器和基于A(yíng)rm Cortex-M0內核的32位微控制器產(chǎn)品?！ ∩钲谑懈粷M(mǎn)電子集團股份有限公司 是一家從事高性能模擬及數?；旌霞呻娐吩O計研發(fā)、封裝、測試和銷(xiāo)售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有電源管理、LED驅動(dòng)、MOSFET等涉及消費領(lǐng)域IC產(chǎn)品四百余種。MCU主要產(chǎn)品
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復旦大學(xué)與Google正式合作：主攻人工智能
- 據谷歌黑板報公布，5月31日，Google 在上海與復旦大學(xué)簽署兩年期合作協(xié)議，宣布成立復旦大學(xué)-谷歌科技創(chuàng )新實(shí)驗室，建立戰略合作關(guān)系?！ 偷┐髮W(xué)常務(wù)副校長(cháng)桂永浩教授、校長(cháng)助理徐雷教授、Google大中華區總裁石博盟(Scott Beaumont)、Google大中華區公共政策與政府事務(wù)經(jīng)理張弘、Google中國教育合作部經(jīng)理朱愛(ài)民等出席了簽約儀式?！ 』诖舜魏炇鸬膮f(xié)議，Google將重點(diǎn)支持復旦大學(xué)在人工智能、數據科學(xué)、移動(dòng)應用等新興科技領(lǐng)域的課程和創(chuàng )新科技聯(lián)合實(shí)驗室建設，并支持中美青年創(chuàng )客交流
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復旦大學(xué)科研團隊開(kāi)創(chuàng )研發(fā)第三類(lèi)存儲技術(shù)
- 近日，復旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛、周鵬團隊實(shí)現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，開(kāi)創(chuàng )了第三類(lèi)存儲技術(shù)，解決了國際半導體電荷存儲技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。 據了解，目前半導體電荷存儲技術(shù)主要有兩類(lèi)，第一類(lèi)是易失性存儲，例如計算機中的內存，掉電后數據會(huì )立即消失;第二類(lèi)是非易失性存儲，例如人們常用的U盤(pán)，在寫(xiě)入數據后無(wú)需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫(xiě)入數據，第二類(lèi)電荷存儲技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存
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復旦大學(xué)兩成果亮相“集成電路設計奧林匹克”ISSCC 2018
- 美國當地時(shí)間2月11日，2018國際固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC 2018)在舊金山舉行，202篇來(lái)自學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的前沿成果論文在這一集成電路設計領(lǐng)域的頂級學(xué)術(shù)會(huì )議中向全世界發(fā)布。由復旦大學(xué)微電子學(xué)院無(wú)線(xiàn)集成電路與系統(WiCAS)課題組和腦芯片研究中心模擬與射頻集成電路設計團隊研發(fā)的兩項成果雙雙亮相，分別以論文《面向窄帶物聯(lián)網(wǎng)NBIOT應用的緊湊型雙頻段數字式功率放大器》(“A Compact Dual-Band Digital Doherty Power Amplifier Using Parall
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“復旦大學(xué)”“新華書(shū)店”介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條“復旦大學(xué)”“新華書(shū)店”!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對“復旦大學(xué)”“新華書(shū)店”的理解，并與今后在此搜索“復旦大學(xué)”“新華書(shū)店”的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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