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?靜電放電 文章 進(jìn)入?靜電放電技術(shù)社區
電路設計少不了ESD，詳述一下其理論，超詳細！
- 一直想給大家講講ESD的理論。但是由于理論性太強，如果一些器件理論不懂的話(huà)，這個(gè)大家也不要浪費時(shí)間看了。任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的，如果你不會(huì )畫(huà)雞蛋，注定了你就不會(huì )畫(huà)大衛。靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)應該是造成所有電子元器件或集成電路系統造成過(guò)度電應力(EOS: Electrical Over Stress)破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會(huì )造成電路直接燒毀。所以預防靜電損傷是所有IC設計和制造的頭號難題。
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經(jīng)典解析靜電放電（ESD）原理與設計-靜電來(lái)源及保護方法-KIA MOS管
- ESD，是靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉移。ESD是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。靜電的來(lái)源在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設備以及電子元器件本身。人體是最重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機會(huì )將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過(guò)器件
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基本ESD模型及功能參數
- 將一個(gè)電容充電到高電壓（一般是2kV至8kV），然后通過(guò)閉合開(kāi)關(guān)將電荷釋放進(jìn)準備承受ESD沖擊的“受損”器件（圖1）。電荷的極性可以是正也可以是負，因此必須同時(shí)處理好正負ESD兩種情況?！ ?1)HBM(Human Body Model)，人體放電模型； 指帶電荷的人體與集成電路產(chǎn)品的管腳接觸并發(fā)生靜電荷轉移時(shí)，產(chǎn)生的ESD現象?！ ∪梭w等效電阻約1500歐姆，等效電容值為lOOpF，Ls與Cs寄生電感和電容。該ESD放電產(chǎn)生電流波形的上升時(shí)間在2~10ns范圍內，持續時(shí)間在150~200ns范圍內
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esd是指什么？靜電放電是什么？
- ESD（Electrostatic discharge），中文釋義為靜電放電?！ ≡斐伸o電放電有多種原因，但最常見(jiàn)的是靜電和靜電感應。靜電通常是通過(guò)摩擦充電產(chǎn)生的，而靜電感應則是作為物體的電荷重新排列而產(chǎn)生的。通常，當一個(gè)物體的表面獲得負電子而另一個(gè)物體失去電子并帶正電時(shí)，就會(huì )產(chǎn)生摩擦充電。當帶相反電荷的物體相互接觸時(shí)，電子傳遞能量然后分離，形成一種電荷接觸帶電?！ ≡诠I(yè)生產(chǎn)中靜電放電會(huì )導致兩種類(lèi)型的電氣設備損壞，具體如下： 災難性的：造成永久性傷害?！ 摲缘模簬缀鯔z測不到，已經(jīng)對組件造成損傷
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ESD簡(jiǎn)介（簡(jiǎn)單明了?。?/a>
- 記得小學(xué)時(shí)候的自然課上老師用冬天脫毛衣時(shí)的火花向年少的我們描述靜電的情形，那時(shí)候不禁對大自然肅然起敬。沒(méi)想到很多年之后學(xué)習集成電路課程，又一次跟靜電有了接觸，只是這一次沒(méi)有年少時(shí)的輕松與愉悅。靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成電子元件或電子系統遭受過(guò)度電應力而被永久破壞。靜電放電破壞的產(chǎn)生，大多數是由于人為因素造成的，但又很難避免。在芯片制造、生產(chǎn)、測試、搬運等過(guò)程中，靜電會(huì )積累在人體、儀器、設備之中，甚至芯片本身也會(huì )積累靜電，這些靜電一旦在某些情況下形放電通路
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靜電槍電路模型的建立及驗證
- ESD一直是電氣和電子元件產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)和突出威脅。在系統級ESD測試過(guò)程中，通常用靜電槍來(lái)模擬ESD放電場(chǎng)景，放電電流波形必須符合IEC 61000-4-2標準。但標準給的誤差范圍較大，較大的誤差會(huì )影響仿真結果的準確性。本文在Cadence下建立了靜電槍電路模型，包括接觸放電模型和HBM模型，具有較高的精確性。模型產(chǎn)生的電流波形與實(shí)際測試電流波形吻合性較好，驗證了模型的準確性。該電路模型為靜電放電仿真提供了一個(gè)新的激勵源。
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半導體器件的電氣過(guò)應力和靜電放電故障
- 靜電可被定義為物質(zhì)表面累積的靜態(tài)電荷或靜態(tài)電荷之間交互作用累積的電荷。電氣過(guò)應力(EOS)和靜電放電(ESD)是電子行業(yè)面臨的重大挑戰之一。通常來(lái)說(shuō)，半導體行業(yè)中超過(guò)三分之一的現場(chǎng)故障都是由ESD引起的。ESD導致的
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?靜電放電介紹
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