通過(guò)初級端調節提高HB LED照明效率

　　當PSR控制器導通MOSFET時(shí)，變壓器電流iP將線(xiàn)性地從零增加到ipk，如算式(1)。 在導通期間，能量存儲在變壓器中。當MOSFET關(guān)斷時(shí)(toff)，存儲在變壓器中的能量通過(guò)輸出整流器傳送到功率轉換器的輸出端。在此期間，輸出電壓VO和二極管的正向電壓VF被反射到輔助線(xiàn)圈NAUX，輔助線(xiàn)圈NAUX上的電壓可由算式(2)表示。這時(shí)可運用一種專(zhuān)有的采樣技術(shù)來(lái)對反射電壓進(jìn)行采樣，由于輸出整流器的正向電壓變得恒定，故可獲得相關(guān)輸出電壓信息。然后，采樣得到的電壓與精確的參考電壓進(jìn)行比較，形成一個(gè)電壓回路，從而確定MOSFET的導通時(shí)間，并精確調節恒定輸出電壓。

　　在這算式中，LP為變壓器初級線(xiàn)圈的電感;VIN為變壓器的輸入電壓;ton是MOSFET的導通時(shí)間;NAUX/NS為輔助線(xiàn)圈與次級輸出線(xiàn)圈的匝數比;VO是輸出電壓;VF是輸出整流器的正向電壓。

　　這種采樣方案也使得變壓器的放電時(shí)間(tdis)加倍，如圖2所示，輸出電流IO與變壓器的次級端電流有關(guān)。IO還可通過(guò)ipk、tdis求得，如算式(3)所示。PSR控制器利用這個(gè)結果來(lái)確定MOSFET的導通時(shí)間，并調節恒定輸出電流。Sense電阻RSENSE用來(lái)調節輸出電流的數值。