電源與電源管理技術(shù)發(fā)展趨勢

　　MOSFET滿(mǎn)足新能效目標

　　電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計劃(Climate Savers)發(fā)起的80PLUS Gold金牌認證規定的新能效目標(圖1)，要求在美國能源之星計劃當前的要求基礎上，再使計算機的能效提高約10%。英飛凌(Infineon)為此大力改進(jìn)其MOSFET。6月中旬，在深圳舉行的第十五屆中國國際電源展覽會(huì )暨第十三屆中國變頻器及電子變壓器展覽會(huì )上，英飛凌推出了多款MOSFET，包括全球首發(fā)高端功率晶體管CoolMOS C6，還有中低端的OptiMOS 3家族的75V產(chǎn)品。

　　CoolMOS C6凌空出世

　　高性能MOSFET 600V CoolMOS C6系列可使諸如PFC(功率因數校正)級或PWM(脈寬調制)級等能源轉換產(chǎn)品的能源效率大幅提升。C6融合了現代超結結構及包括超低單位面積導通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99mΩ)在內的補償器件的優(yōu)勢，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)控制特性和更結實(shí)耐用的增強型體二極管。

　　C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS。英飛凌在CoolMOS C3(第三代)和CoolMOS CP(第四代)的基礎上，進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度并降低了導通電阻。C3目前是該公司應用廣泛的產(chǎn)品系列，但是C3價(jià)格進(jìn)一步下降的空間有限，C6以更高的性?xún)r(jià)比可替代C3，英飛凌同時(shí)也認為C6更適合對價(jià)格比較敏感的中國市場(chǎng)，因此把C6的首發(fā)地選在中國。不過(guò)，CP系列由于開(kāi)關(guān)損耗更低，仍將在市場(chǎng)上長(cháng)期存在。

　　繼承了前代產(chǎn)品的易用性和高能效特性，加上更高的輕載效率，將使CoolMOS C6系列成為硬開(kāi)關(guān)應用的基準。另一方面，存儲在輸出電容中的極低電能和出類(lèi)拔萃的硬換流耐受性，使該器件成為諧振開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的較好選擇。

　　C6器件可降低設計難度，非常適合于各種高能效應用，例如面向PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機、照明(高壓氣體放電燈)產(chǎn)品以及電視機和游戲機等消費電子產(chǎn)品的電源或適配器。

　　CoolMOS誕生于上世紀90年代，是業(yè)界高性能MOSFET的先驅?zhuān)源笈可a(chǎn)和高可靠性引領(lǐng)潮流。

　　75V豐富OptiMOS 3產(chǎn)品線(xiàn)

　　OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列具備領(lǐng)先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開(kāi)關(guān)電源、電機控制和快速開(kāi)關(guān)D類(lèi)功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。

　　OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列是交/直流開(kāi)關(guān)模式電源(例如臺式機和服務(wù)器裝備的電源)的同步整流選擇。英飛凌此次新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET可以幫助滿(mǎn)足80PLUS Gold金牌認證規范。它采用節省空間的SuperSO8封裝，相對于同類(lèi)器件而言，導通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%，結果可使SMPS的同步整流級的功耗降低高達10%。

　　OptiMOS 3 75V系列進(jìn)一步壯大了英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的陣營(yíng)。目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS 3工藝制造的器件型號已接近100個(gè)，每款都具備業(yè)界很低的導通電阻和柵極電荷，可降低產(chǎn)品的導通損耗和整體功耗。