LED優(yōu)點(diǎn)及產(chǎn)業(yè)分類(lèi)

　　LED是通電時(shí)可發(fā)光的半導體材料制成的發(fā)光元件，材料使用III- V族化學(xué)元素(如：磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等)，發(fā)光原理是將電能轉換為光，也就是對化合物半導體施加電流，透過(guò)電子與電洞的結合，過(guò)剩的能量會(huì )以光的形式釋出，達成發(fā)光的效果，屬于冷性發(fā)光。

　　LED最大的特點(diǎn)在于：無(wú)須暖燈時(shí)間(idling time)、反應速度很快(約在10^-9秒)、體積小、用電省、污染低、適合量產(chǎn)，具高可靠度，容易配合應用上的需要制成極小或陣列式的元件，適用范圍頗廣，如汽車(chē)、通訊產(chǎn)業(yè)、電腦、交通號誌燈、液晶面板用背光源、LED屏幕等。

　　LED產(chǎn)業(yè)主要可以分成上、中、下游三類(lèi)。上游為單芯片及其外延，中游為led芯片加工，下游為封裝測試以及應用。其中，上游和中游技術(shù)含量較高，資本投入密度大。從上游到下游，產(chǎn)品在外觀(guān)上差距相當大。LED發(fā)光顏色與亮度由磊晶材料決定，且磊晶占LED制造成本70%左右，對LED產(chǎn)業(yè)極為重要。

　　上游是由磊芯片形成，這種磊芯片長(cháng)相大概是一個(gè)直徑六到八公分寬的圓形，厚度相當薄，就像是一個(gè)平面金屬一樣。常見(jiàn)的外延方法有液相外延法(LPE)、氣相外延法(VPE)以及金屬有機化學(xué)汽相沉積(MOCVD)等，其中VPE和LPE技術(shù)都已相當成熟，可用來(lái)生長(cháng)一般亮度LED。而生長(cháng)高亮度LED必須采用MOCVD方法。上游磊晶制程順序為：?jiǎn)涡酒?III-V族基板)、結構設計、結晶成長(cháng)、材料特性/厚度測量。

　　中游廠(chǎng)商根據LED的性能需求進(jìn)行器件結構和工藝設計，通過(guò)外延片擴散、然后金屬鍍膜，再進(jìn)行光刻、熱處理、形成金屬電極，接著(zhù)將基板磨薄拋光后進(jìn)行切割。依照芯片的大小，可以切割為二萬(wàn)到四萬(wàn)個(gè)芯片。這些芯片長(cháng)得像沙灘上的沙子一樣，通常用特殊膠帶固定之后，再送到下游廠(chǎng)商作封裝處理。中游芯片制程順序為：磊芯片、金屬膜蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。

　　下游包括LED芯片的封裝測試和應用。LED封裝是指將外引線(xiàn)連接到LED芯片的電極上，形成LED器件，封裝起著(zhù)保護LED芯片和提高光取出效率的作用。下游廠(chǎng)商封裝處理順序為：芯片、固晶、粘著(zhù)、打線(xiàn)、樹(shù)脂封裝、長(cháng)烤、鍍錫、剪腳、測試。