我國半導體照明風(fēng)險與機遇中前進(jìn)

　　雖然國家半導體照明工程總體進(jìn)展順利，但是我們應該清楚地看到，與國際相比，我國在半導體照明技術(shù)與產(chǎn)業(yè)方面尚存在一定差距，還面臨著(zhù)許多急需解決的問(wèn)題。

　　首先，產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)與專(zhuān)利缺乏，研發(fā)投入不足，研究力量分散，缺少產(chǎn)業(yè)化的國家公共研發(fā)平臺。

　　我國外延材料的核心技術(shù)研究仍處于弱勢，生產(chǎn)外延材料的MOCVD(化學(xué)氣相沉積設備)核心裝備也高度依賴(lài)進(jìn)口，無(wú)法支撐外延核心技術(shù)、工藝和方法的持續創(chuàng )新，并且制造成本高。半導體照明外延材料的研發(fā)，不僅在設備與原料上投入很高，而且還是一項"人與機器結合"不斷摸索的艱苦工作。與國外相比，我國研究投入明顯不足，研究力量又分散，研究工作也缺乏連續性，再加上設備、技術(shù)、信息不能有效共享等問(wèn)題，造成核心關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)沒(méi)有形成合力，缺少能夠有效地對單項技術(shù)集成和促進(jìn)工藝上、工程上成熟的產(chǎn)業(yè)化支撐平臺，無(wú)法形成自主創(chuàng )新資源的合理配置和集中投入。

　　其次，產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，企業(yè)規模偏小、創(chuàng )新能力弱，高端市場(chǎng)被國際公司占據。

　　我國LED產(chǎn)業(yè)雖然先后實(shí)現了自主生產(chǎn)器件、芯片和外延片，但自產(chǎn)的LED外延、芯片仍以中、低檔為主，產(chǎn)業(yè)化規模偏小，80%以上的高亮功率型LED芯片、器件還是依賴(lài)進(jìn)口。由于技術(shù)進(jìn)步速度加快，大規模應用市場(chǎng)正在形成，所以急需上、中游規?；a(chǎn)能力的擴大和產(chǎn)品性能的提高。目前雖然民間資本介入較快，但與國外相比企業(yè)規模較小，形不成競爭優(yōu)勢和品牌，并且技術(shù)創(chuàng )新能力與承擔風(fēng)險能力都遠遠不夠，因此高端外延、芯片市場(chǎng)仍然被國際幾大巨頭壟斷。

　　再次，標準與檢測體系不完善，缺乏權威檢測平臺。

　　由于半導體照明技術(shù)進(jìn)步快，涉及行業(yè)多，處在多學(xué)科交叉的產(chǎn)業(yè)邊緣地帶，以及在檢測設備、檢測方法的研發(fā)等方面沒(méi)有足夠的投入，導致半導體照明的標準與檢測體系尚未形成，也沒(méi)有針對半導體照明產(chǎn)品的權威檢測平臺。由于LED產(chǎn)品的技術(shù)差異性極大，又沒(méi)有專(zhuān)業(yè)權威、統一的測試機構與認證標準，加之地方政府示范心切，且又急于發(fā)展地方的企業(yè)，導致產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊，嚴重影響消費者的信心。

　　最后，缺乏針對光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策。

　　美國、日本、歐盟等采取了一系列措施來(lái)促進(jìn)半導體照明的應用和推廣。與國外相比，我國尚沒(méi)有相關(guān)的產(chǎn)業(yè)促進(jìn)政策出臺或沒(méi)有實(shí)施細則，缺乏支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相應措施。特別是核心裝備和關(guān)鍵原材料高度依賴(lài)進(jìn)口，過(guò)高的進(jìn)口關(guān)稅及增值稅，嚴重影響了國內上游外延芯片企業(yè)制造成本的降低和規模的擴大。