美國國家半導體推出業(yè)界最低噪聲的全新零漂移放大器

　　二零零八年十一月十三日--中國訊 -- 美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代號：NSM)最新推出的兩款零漂移運算放大器，不但具有業(yè)界最低的輸入電壓噪聲(以1000V/V倍增益操作時(shí)，輸入噪聲低至11nV/sqrt Hz)，而且以直流電壓進(jìn)行操作時(shí)準確度也極高，最適用于低頻率、低供電電壓的傳感器接口系統。由于這兩款新芯片在性能上具有明顯的優(yōu)勢，從而使這類(lèi)零漂移放大器的應用領(lǐng)域得以進(jìn)一步擴大，甚至適用于增益要求極高而噪聲低至15nV/sqrt Hz 以下的傳感器接口。
 
 　　單組裝的LMP2021及雙組裝的LMP2022高精度運算放大器非常適用于傳感器接口系統，其中包括負載傳感器、壓力感器及力度傳感器，因此可以廣泛用于工業(yè)系統、科研用重量計、醫療、測量設備、以及供暖、通風(fēng)和空調系統。美國國家半導體已將這兩款放大器芯片列為最新推出的WEBENCH® 傳感器設計工具之一。這套全新的在線(xiàn)設計工具可以簡(jiǎn)化設計流程，并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。以傳感器信號路徑的設計為例，工程師只需在鍵盤(pán)上輕按幾次，便可完成從構思、模擬測試到建模的整個(gè)設計過(guò)程。
 
 　　美國國家半導體的零漂移放大器采用創(chuàng )新的噪聲波形調整技術(shù)，可以利用內置的連續校正電路確保輸入偏移錯誤電壓自動(dòng)歸零，換言之，無(wú)論操作時(shí)間有多長(cháng)、溫度出現什么變化，這兩款放大器都可不斷保持最高的精確度，并具有極高的共模抑制比(CMRR)及電源抑制比(PSRR)。以振幅較小的輸入信號為例，雖然這類(lèi)信號以較高增益倍數放大，但這兩款運算放大器在放大這些信號之后，其輸入電壓噪聲反而會(huì )下降，由100V/V增益的15nV/sqrt Hz (典型值) 下降至 1000V/V增益的11nV/sqrt Hz。若以該關(guān)鍵參數作為基準進(jìn)行比較，美國國家半導體這兩款產(chǎn)品比競爭對手優(yōu)勝50%。此外，這兩款運算放大器還可濾除低頻系統的中頻錯誤電壓噪聲。
 
 　　LMP2021/22芯片均內置可抑制電磁干擾（EMI）濾波器，它是最近推出的LMV83x、LMV85x及LMV86x超強抗電磁干擾能力運算放大器系列的最新型號。LMP2021/22芯片的電磁干擾抑制比(EMIRR)高達79dB，因此可抑制外來(lái)的射頻干擾。此外，這兩款運算放大器除了適用于24位的數據采集系統之外，也可驅動(dòng)美國國家半導體最新推出的16位ADC161S626模擬/數字轉換器。這款模擬/數字轉換器可在攝氏-40度至85 度的溫度范圍內保持 +/-0.003% 的信號準確度。以高分辨率的數據采集系統為例，系統設計工程師一般會(huì )根據模擬/數字轉換器的滿(mǎn)標度輸入范圍設定傳感器的輸出，以確保系統具有最高的靈敏度。
 
 　　LMP2021/22 零漂移高精度放大器的主要特性
 
 　　單組裝的LMP2021及雙組裝的LMP2022都屬于零漂移、低噪聲、抗電磁干擾能力更強的運算放大器，其優(yōu)點(diǎn)是輸入偏移電壓漂移溫度系數(TCVos)極低(每攝氏度僅有0.004uV)，而偏移電壓典型值則只有0.4uV。這兩款芯片均可在2.2V至5.5V的供電電壓范圍內進(jìn)行操作，增益帶寬則高達5MHz，但每通道的耗電則低至1.1mA。LMP2021/22運算放大器的開(kāi)環(huán)增益為160dB，共模抑制比為139dB，而電源抑制比則為130dB。此外，這兩款芯片都可在攝氏-40度至125度的寬溫度范圍內進(jìn)行操作。LMP2021芯片有5引腳 SOT23及8引腳 SOIC兩種封裝可供選擇，而LMP2022芯片則有8引腳SOIC及8引腳MSOP兩種封裝。
 
 　　美國國家半導體的放大器系列
 
 　　美國國家半導體一直專(zhuān)注于研發(fā)高性能的放大器及比較器，目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器，以滿(mǎn)足市場(chǎng)上對高精度、高速、低電壓及低功率放大器的需求。該公司多年來(lái)一直致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng )新的放大器，這方面的技術(shù)更一直領(lǐng)先同業(yè)，加上該公司也擁有先進(jìn)的 VIP10 雙極及 VIP50 BiCMOS 工藝技術(shù)，這幾方面的優(yōu)勢令美國國家半導體將可繼續在放大器市場(chǎng)上保持其領(lǐng)導地位。此外，美國國家半導體率先推出 Silicon Dust™ 及 micro SMD 這兩種嶄新的封裝技術(shù)，為封裝技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)導者。如欲進(jìn)一步查詢(xún)有關(guān)美國國家半導體放大器產(chǎn)品的資料，可瀏覽 national.com/amplifiers  網(wǎng)頁(yè)。