噪聲與低噪聲設計的探討(上篇)
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噪聲與低噪聲設計的探討(上篇)
這是一篇由兩部分組成的連載文章的第一部分,介紹了一些基本概念,以便于你著(zhù)手考慮低噪聲設計。
要點(diǎn)
● 要將器件噪聲、失真和干擾信號區分開(kāi)來(lái)。它們各有自己的來(lái)源、預防措施和補救措施。
● 有源器件和電阻器都有多種噪聲分布。要使自己熟悉各種噪聲源,以及引起噪聲的電路運行參數。
● 在許多應用系統中,信號的源阻抗可以確定評估噪聲幅度的背景。
● 如果把一些可以換算的數值記憶在腦海里,你就可以隨手對熱噪聲進(jìn)行快速而準確的估算。
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噪聲是許多信號處理系統的基本制約因素。同樣,它是許多電子設計,特別是接口電路的主要制約條件。在測試與測量、醫學(xué)成像和高速數據通信等方面的行業(yè)趨向都需要越來(lái)越高的信息密度。與此同時(shí),半導體工藝的進(jìn)步能實(shí)現更高的數據處理速度和功能密度,但卻要降低工作電源電壓,由此降低信號幅度。結果是,加大了系統設計對模擬前端噪聲性能進(jìn)行管理的壓力。
系統地探討像噪聲這樣繁雜的課題是件難辦的事情,而且不是幾頁(yè)篇幅就可以說(shuō)得清楚的。EDN 為了努力擴展這一討論的范圍,請幾家在低噪聲器件和電路設計方面具備專(zhuān)業(yè)知識的半導體制造廠(chǎng)提供相互關(guān)聯(lián)的應用說(shuō)明和技術(shù)文章。這些資源都能在 EDN 網(wǎng)站的模擬技術(shù)資源部分找到。這些相關(guān)信息的集合就可以作為進(jìn)一步了解這一課題的動(dòng)態(tài)信息來(lái)源。
如果你自己對這一課題進(jìn)行研究,那你就會(huì )發(fā)現,許多文獻資料把所有不需要的信號(來(lái)自外部的和存在于電路內部的)都歸入噪聲這一大類(lèi)。但是設計師對外部和內部這類(lèi)噪聲采取的預防和補救措施則是大不相同的。你不能忽視任何一類(lèi)噪聲,但本文著(zhù)重討論信號路徑內部的噪聲源。也就是說(shuō),良好的低噪聲系統設計需要充分考慮電路工作環(huán)境內的干擾。(見(jiàn)附文《外部因素》)。
隨機事件,可預測的形狀
電子元件通過(guò)不同的噪聲源機制產(chǎn)生三種噪聲譜的組合。各個(gè)噪聲源項分別表示平帶噪聲、1/f 噪聲或1/f2 噪聲:
式中, pn(f) 是噪聲源的功率譜密度——即中心頻率為 f 的 1Hz 帶寬的平均功率,c 是恒定幅度(參考文獻 1)。
為了不與噪聲譜的形狀相混淆,給出的功率譜密度是一個(gè)單位為瓦/赫的函數,從而可以通過(guò)求某個(gè)帶寬內的密度積分,計算出某一頻帶內的 rms 噪聲功率:
然而,大多數有源電路都是將信號作為電流或電壓來(lái)處理的。例如,雙極晶體管是跨導器件:它產(chǎn)生的輸出信號電流是與輸入信號電壓相對應的。為了能對信號和噪聲進(jìn)行快速比較,一般都用每根赫的電壓或每根赫的電流來(lái)表示噪聲譜密度。
在產(chǎn)生這三種常見(jiàn)噪聲譜的機制中,最常見(jiàn)的機制產(chǎn)生平帶(Flatband)噪聲,也稱(chēng)白噪聲,因為噪聲功率是均勻地分配在整個(gè)頻譜范圍內,就像白光均勻分布在可見(jiàn)光譜范圍內一樣。平帶噪聲源產(chǎn)生散粒噪聲(或叫肖特基噪聲)和熱噪聲(也稱(chēng)約翰遜噪聲,為的是紀念物理學(xué)家 John Bertrand Johnson 于 1928 年發(fā)現了這一現象)。雖然這兩種噪聲的頻譜是難以區分的,但作為電路工作條件的函數,散粒噪聲源和約翰遜噪聲源的行為則是不同的。
散粒噪聲無(wú)處不在
散粒噪聲是由電子通過(guò)一個(gè)勢壘的離散量子性質(zhì)產(chǎn)生的。它通常與二極管和雙極晶體管有關(guān)。電流可以按直流電大小給定的穩定平均速率通過(guò)一個(gè)PN結,但各個(gè)載流子只有當它們具有足夠能量來(lái)克服PN結勢壘時(shí),才能作為隨機事件穿過(guò)PN結(參考文獻 2)。在極限情況下,電流被量子化為電子能級,所以平均電流就包含大量的離散事件。
散粒噪聲計算公式如下:
其單位是安培均方根值,式中 q 為電子電荷(1.6
要點(diǎn)
● 要將器件噪聲、失真和干擾信號區分開(kāi)來(lái)。它們各有自己的來(lái)源、預防措施和補救措施。
● 有源器件和電阻器都有多種噪聲分布。要使自己熟悉各種噪聲源,以及引起噪聲的電路運行參數。
● 在許多應用系統中,信號的源阻抗可以確定評估噪聲幅度的背景。
● 如果把一些可以換算的數值記憶在腦海里,你就可以隨手對熱噪聲進(jìn)行快速而準確的估算。
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噪聲是許多信號處理系統的基本制約因素。同樣,它是許多電子設計,特別是接口電路的主要制約條件。在測試與測量、醫學(xué)成像和高速數據通信等方面的行業(yè)趨向都需要越來(lái)越高的信息密度。與此同時(shí),半導體工藝的進(jìn)步能實(shí)現更高的數據處理速度和功能密度,但卻要降低工作電源電壓,由此降低信號幅度。結果是,加大了系統設計對模擬前端噪聲性能進(jìn)行管理的壓力。
系統地探討像噪聲這樣繁雜的課題是件難辦的事情,而且不是幾頁(yè)篇幅就可以說(shuō)得清楚的。EDN 為了努力擴展這一討論的范圍,請幾家在低噪聲器件和電路設計方面具備專(zhuān)業(yè)知識的半導體制造廠(chǎng)提供相互關(guān)聯(lián)的應用說(shuō)明和技術(shù)文章。這些資源都能在 EDN 網(wǎng)站的模擬技術(shù)資源部分找到。這些相關(guān)信息的集合就可以作為進(jìn)一步了解這一課題的動(dòng)態(tài)信息來(lái)源。
如果你自己對這一課題進(jìn)行研究,那你就會(huì )發(fā)現,許多文獻資料把所有不需要的信號(來(lái)自外部的和存在于電路內部的)都歸入噪聲這一大類(lèi)。但是設計師對外部和內部這類(lèi)噪聲采取的預防和補救措施則是大不相同的。你不能忽視任何一類(lèi)噪聲,但本文著(zhù)重討論信號路徑內部的噪聲源。也就是說(shuō),良好的低噪聲系統設計需要充分考慮電路工作環(huán)境內的干擾。(見(jiàn)附文《外部因素》)。
隨機事件,可預測的形狀
電子元件通過(guò)不同的噪聲源機制產(chǎn)生三種噪聲譜的組合。各個(gè)噪聲源項分別表示平帶噪聲、1/f 噪聲或1/f2 噪聲:

式中, pn(f) 是噪聲源的功率譜密度——即中心頻率為 f 的 1Hz 帶寬的平均功率,c 是恒定幅度(參考文獻 1)。
為了不與噪聲譜的形狀相混淆,給出的功率譜密度是一個(gè)單位為瓦/赫的函數,從而可以通過(guò)求某個(gè)帶寬內的密度積分,計算出某一頻帶內的 rms 噪聲功率:

然而,大多數有源電路都是將信號作為電流或電壓來(lái)處理的。例如,雙極晶體管是跨導器件:它產(chǎn)生的輸出信號電流是與輸入信號電壓相對應的。為了能對信號和噪聲進(jìn)行快速比較,一般都用每根赫的電壓或每根赫的電流來(lái)表示噪聲譜密度。
在產(chǎn)生這三種常見(jiàn)噪聲譜的機制中,最常見(jiàn)的機制產(chǎn)生平帶(Flatband)噪聲,也稱(chēng)白噪聲,因為噪聲功率是均勻地分配在整個(gè)頻譜范圍內,就像白光均勻分布在可見(jiàn)光譜范圍內一樣。平帶噪聲源產(chǎn)生散粒噪聲(或叫肖特基噪聲)和熱噪聲(也稱(chēng)約翰遜噪聲,為的是紀念物理學(xué)家 John Bertrand Johnson 于 1928 年發(fā)現了這一現象)。雖然這兩種噪聲的頻譜是難以區分的,但作為電路工作條件的函數,散粒噪聲源和約翰遜噪聲源的行為則是不同的。
散粒噪聲無(wú)處不在
散粒噪聲是由電子通過(guò)一個(gè)勢壘的離散量子性質(zhì)產(chǎn)生的。它通常與二極管和雙極晶體管有關(guān)。電流可以按直流電大小給定的穩定平均速率通過(guò)一個(gè)PN結,但各個(gè)載流子只有當它們具有足夠能量來(lái)克服PN結勢壘時(shí),才能作為隨機事件穿過(guò)PN結(參考文獻 2)。在極限情況下,電流被量子化為電子能級,所以平均電流就包含大量的離散事件。
散粒噪聲計算公式如下:

其單位是安培均方根值,式中 q 為電子電荷(1.6
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