了解R2R和電阻串DAC架構之間的差異
R2R 架構
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/84634.htmR2R 架構主要是由形成一個(gè)電阻梯形的并聯(lián)電阻組成。圖4 顯示了一種可能的 R2R 梯形,這是一款乘法 DAC(MDAC),其 R2R 梯形的頂部與外部參考電壓相連。該架構可以輸出一個(gè)相當于數字輸入代碼的電流。
圖4 主要的電流輸出 R2R 架構
在硅片中實(shí)施一個(gè) R2R 梯形的另一種方法如圖5 所示。
圖5 主要的電壓輸出 R2R 架構
其外部參考電壓沒(méi)有和 R2R梯形直接連接。根據不同的數字輸入代碼,開(kāi)關(guān)將通過(guò) R2R 網(wǎng)絡(luò )把參考電壓或接地電平連接至輸出緩沖器,該輸出緩沖器將所生成的電壓信號轉換成輸出電壓。
圖5 所示的架構只允許從 0V 到應用外部參考電壓的單極輸出電壓(請注意,DAC 的電源電壓必須等于或高于參考電壓)。通過(guò)將接地電平連接至一個(gè)額外的外部負參考電壓可以對后來(lái)提及的架構進(jìn)行修改,而通過(guò)修改該架構則可以實(shí)現雙極運行。
圖6 顯示了修改后的架構。
圖6 主要的雙極 R2R 架構
此種類(lèi)型的架構還可用于選擇靈活的參考電壓。雖然 VREFL 可以為負電壓,但不需要讓其為負電壓。但是,VREFL 必須要低于 VREFH。詳盡的描述與參數請參見(jiàn)現有的產(chǎn)品說(shuō)明書(shū),如:DAC7714(見(jiàn)參考書(shū)目1)。
R2R DAC 具有低噪聲和高精度的優(yōu)點(diǎn),其可能會(huì )提供 ±1 LSB INL 的卓越精度和DNL 性能。而且,該架構可實(shí)現高電壓輸出,MDAC 擁有較快的建立時(shí)間(小于 0.3 μsec),以及大于 10 MHz 的乘法帶寬。一般而言,其他 R2R 拓撲結構僅擁有中等的建立時(shí)間性能。
對于更寬泛的應用范圍(如數控校驗或工業(yè)可編程邏輯控制(PLC))而言,MDAC 為設計人員在選擇使用外部輸出緩沖器方面的靈活性使該架構類(lèi)型更為有用。設計人員可以為特定的應用挑選最佳的運算放大器。另一方面,對于板上器件數量不斷增加的低阻抗連接而言,需要一個(gè)外部緩沖器。其次,與 R2R 架構相比,突波能量當然更適合電阻串架構,因此,對于波形生成和其他突波能量敏感型應用而言,很少采用 R2R DAC。
結論
我們不但要考慮諸如增益誤差或偏移誤差等其他電氣規范,而且還要考慮隨著(zhù)溫度變化而發(fā)生的漂移或滿(mǎn)量程誤差等重要的參數,這些參數通常與具體的架構無(wú)關(guān)。為了有一個(gè)良好的開(kāi)端,設計人員應首先查看基本要求并問(wèn)問(wèn)自己對最低精度和線(xiàn)性度有何要求。如果是在閉環(huán)應用中,那么一款較低成本且線(xiàn)性較差的電阻串 DAC 就足夠了;而如果是在開(kāi)環(huán)應用中,則 R2R 架構在提供更佳的線(xiàn)性度和更高的精度方面就顯得更加出色。
參考文獻
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