日本 ：NEC開(kāi)發(fā)成功1億門(mén)單元基LSI

日本 ：NEC開(kāi)發(fā)成功1億門(mén)單元基LSI

　NEC電子設備部開(kāi)發(fā)成功CB-90系列單元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm，采用柵長(cháng)0.06μm的CMOS方法和銅金屬連線(xiàn)技術(shù)制造。準備制造的三種單元基LSI是：高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它們的內部工作頻率分別為500MHz～1GHz。最高頻率為500MHz、最低為150MHz。
　　高集成度型CB-90M的邏輯門(mén)數最多達到1億門(mén)。高速型CB-90H的門(mén)延遲時(shí)間為10.2ps（2個(gè)輸入NAND門(mén)，扇出數為2）。低功耗型CB-90L的功耗為2.7nw(每1MHz工作的門(mén)，電源電壓1.0V)。與最小特征尺寸為0.130μm、柵長(cháng)0.095μm的現行一代單元基LSI（CB-130系列）相比，門(mén)數增加約1.9倍，延遲時(shí)間縮短約2/3，功耗減少約40%。CB-90系列單元基LSI2003年3月開(kāi)始接受訂貨，批量生產(chǎn)預定從第三季度開(kāi)始。
　　LSI設計環(huán)境準備采用C語(yǔ)言的設計環(huán)境，支持系統設計到GDSII格式。
　　C語(yǔ)言設計環(huán)境與RTL為基礎的設計方法相比，可使設計時(shí)間縮短大約一半。RTL為基礎的設計方法從規格設計、硬件設計、軟件設計、系統驗證到系統評估，需時(shí)大約14個(gè)月，而以C語(yǔ)言為基礎的設計，可縮短到大約7個(gè)月。再者，應用C語(yǔ)言的設計環(huán)境，也可用于CB-130系列等的現行一代產(chǎn)品。
　　CB-90系列作為制造方法的設計基準，采用日本國內的標準方法共同開(kāi)發(fā)企業(yè)ASPLA（尖端SoC基礎技術(shù)開(kāi)發(fā)）的基準。據說(shuō)，將來(lái)要使之能夠納入依據ASPLA的、用其他的ASIC Bender的宏單元。