常用調光方法的工作原理
1、 脈沖寬度調制(PWM)調光法
這種調光控制法是利用調節高頻逆變器中功率開(kāi)關(guān)管的脈沖占空比,從而實(shí)現燈輸出功率的調節。半橋逆變器的最大占空比為0.5,以確保半橋逆變器中的兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)管之間有一個(gè)死時(shí)間,以避免兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)管由于共態(tài)導通而損壞。
這種調光控制法能使功率開(kāi)關(guān)管導通時(shí)工作在零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)狀態(tài),關(guān)斷瞬間需采用吸收電容以達到ZCS工作條件,這樣即可進(jìn)入ZVS工作方式,這是它的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)EMI和功率開(kāi)關(guān)管的電應力可以明顯降低,然而,如果脈沖占空比太小,以致電感電流不連續,將會(huì )失去ZVS工作特性,并且由于供電直流電壓較高,而使功率開(kāi)關(guān)管上的電應力加大,這種不連續電流導通狀態(tài)將導致電子鎮流器的工作可靠性降低并加大EMI輻射。
除了小的脈沖占空比外,當燈電路發(fā)生故障時(shí),也會(huì )出現功率開(kāi)關(guān)管的不連續電流工作狀態(tài),當燈負載出現開(kāi)路故障時(shí),電感電流將流過(guò)諧振電容,由于這個(gè)電容的容量較小,所以阻抗較大,而在這個(gè)諧振電容上產(chǎn)生較高的電壓。除非兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)管有吸收保護電路,否則這時(shí)功率開(kāi)關(guān)管將承受很大的電壓應力。
2、 改變半橋逆變器供電電壓調光法
利用改變半橋逆變器供電電壓的方法實(shí)現調光有以下優(yōu)點(diǎn):
① 利用調節半橋逆變器供電電壓來(lái)實(shí)現調光。
② 脈沖占空比(約0.5)固定,使半橋逆變器工作在軟開(kāi)關(guān)工作狀態(tài),并可在鎮流電感電流連續的工作條件下實(shí)現寬調光范圍的調光(這也可使開(kāi)關(guān)控制電路簡(jiǎn)化)。
③ 由于開(kāi)關(guān)工作頻率固定,所以可以針對給定的熒光燈型號簡(jiǎn)化控制電路設計。
④ 由于開(kāi)關(guān)工作頻率剛好大于諧振頻率,所以可以降低無(wú)功功率和提高電路工作效率。
⑤ 由于開(kāi)關(guān)工作頻率固定,所以可以比較方便地確定燈負載匹配電路中無(wú)源器件的參數。
⑥ 可在較寬的燈功率范圍內(5%~100%)保持ZVS工作條件。
⑦ 在很低的半橋逆變器供電電壓下,電子鎮流器電路將會(huì )失去較開(kāi)關(guān)特性,會(huì )出現鎮流電感電流不連續的工作狀態(tài)。然而在直流供電電壓很低的情況下,這種工作狀態(tài)不再是個(gè)問(wèn)題,這時(shí)功率開(kāi)關(guān)管的電應力和損耗都將很小,即使工作在硬開(kāi)關(guān),在低直流供電電壓情況下(如20V)也不會(huì )產(chǎn)生太多的EMI輻射。
⑧ 可實(shí)現平滑和幾乎線(xiàn)性的燈功率調節控制特性。
⑨ 可得到低功率解決方案,半橋逆變器的供電電壓可以選得很低(如5%~100%的調光范圍對應30~120V),這樣可采用低電壓電容和低耐電壓值的功率MOSFET。
⑩ 由于半橋逆變器工作在恒頻狀態(tài),所以可采用簡(jiǎn)單的AC/DC控制即可實(shí)現調光。{{分頁(yè)}}
11燈電流近似和DC變換器的直流供電電壓成正比,調光幾乎和逆變器的輸出電壓成正比,調光特性曲線(xiàn)如圖1所示。
3、 脈沖調頻調光法
脈沖調頻調光法(PFM)也是常用的調光方法。如果高頻交流電子鎮流器的開(kāi)關(guān)工作頻率增加,則鎮流電感的阻抗增加,這樣流過(guò)鎮流電感的電流就會(huì )下降,導致流過(guò)燈負載的電流下降,從而實(shí)現調光。圖2為4英尺40W熒光燈脈沖調頻調光法的調光特性曲線(xiàn)(脈沖占空比D=0.45)。
脈沖調頻調光法的局限性。{{分頁(yè)}}
① 調光范圍由調頻范圍決定,如果調頻范圍不大,則熒光燈功率調節范圍也不大。
② 為了實(shí)現在低熒光燈燈功率工作條件下實(shí)現調光,則調頻范圍應很寬(即從25~50kHz)。由于磁芯的工作頻率范圍、驅動(dòng)電路、控制電路等原因都可能很限制熒光燈的調節范圍。
③ 調頻范圍內不易實(shí)現軟開(kāi)關(guān)。輕載時(shí),不能實(shí)現軟開(kāi)關(guān),并使功率開(kāi)關(guān)管上的電壓應力加大。硬開(kāi)關(guān)的瞬態(tài)過(guò)渡是EMI輻射的主要來(lái)源。
④ 如果半橋逆變器不工作在軟開(kāi)關(guān)工作狀態(tài),則會(huì )導致逆變器的損耗加大,工作效率降低。
⑤ 開(kāi)關(guān)工作頻率在紅外遙控的工作頻率范圍內時(shí),熒光燈將發(fā)射低電平的紅外線(xiàn),如果調頻范圍很寬,其他的紅外遙控裝置如電視機等將會(huì )受到影響。
⑥ 燈工作電流近似反比于逆變器的開(kāi)關(guān)工作頻率,調光與開(kāi)關(guān)頻率之間不是線(xiàn)性關(guān)系。
⑦ 當燈管發(fā)生開(kāi)路故障時(shí),電子鎮流器電路將出現電流不連續工作狀態(tài)(DCM),特別是當開(kāi)關(guān)頻率很低時(shí)。
4、 脈沖調相調光法
利用調節半橋逆變器中兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)管的導通相位的方法來(lái)調節熒光燈輸出功率,從而達到調光的目的(IR的專(zhuān)利技術(shù),如IR2159/IR21591/IR21592就是采用脈沖調相調光法調光的集成電路的集成電路控制芯片)。脈沖調相法調光曲線(xiàn)如圖3所示。
脈沖調相調光控制法主要有以下特點(diǎn):
① 可調光至1%的燈亮度。
② 可在任意調光設定值下啟動(dòng)電子鎮流器電路。
③ 可應用于多燈應用(如燈的群控)場(chǎng)合。
④ 調光相位-燈功率關(guān)系線(xiàn)性好。{{分頁(yè)}}
5、 可控硅相控調光法
由于可控硅相控(斬波法)調光具有體積小、價(jià)格合理和調光功率控制范圍寬的優(yōu)點(diǎn),所以可控硅相控調光法是目前使用最為廣泛的調光方法,可控硅調光法可以將熒光燈的光輸出在50%~100%的范圍內調節。但是在熒光燈的電感鎮流應用場(chǎng)合,由于熒光燈電路需用到一只“啟輝器”,但是當熒光燈電感鎮流電路在供電電壓較低的應用場(chǎng)合會(huì )產(chǎn)生熒光燈啟動(dòng)困難的問(wèn)題,這就限制了熒光燈可控硅相控調光的調光范圍??煽毓柘嗫厍把赜|發(fā)的調光工作波形原理如圖4所示。電子鎮流器可控硅前沿觸發(fā)的相控調光工作原理框圖如圖5所示。
應用可控硅相控工作原理,通過(guò)控制可控硅的導通角,將電網(wǎng)輸入的正弦波電壓斬掉一部分,以降低輸出電壓的平均值,達到控制燈電路供電電壓,從頁(yè)實(shí)現調光。
可控硅相控調光對照明系統的電壓調節速度快,調光精度高,調光參數可以分時(shí)段實(shí)時(shí)調整。由于調光電路主要是電子元件組成,相對來(lái)說(shuō)體積小、設備質(zhì)量輕、成本低。但是可控硅相控調光由于是工作在斬波方式,電壓無(wú)法實(shí)現正弦波輸出,由此出現大量諧波,形成對電網(wǎng)系統的諧波污染,危害極大,尤其是不能用于有電容補償的電路中。{{分頁(yè)}}
可控硅相控調光是采用相位控制的方法來(lái)實(shí)現調光的。對普通反向阻斷型的可控硅,其閘流特性表現為當可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí),又加上適當的正向柵極控制電壓時(shí),可控硅就導通;這一導通即使在撤去柵極控制電壓后仍將維持,一直到加上反向陽(yáng)極電壓或可控硅陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才會(huì )關(guān)斷。
從圖4所示的可控硅前沿觸發(fā)的相控調光工作波形原理圖可以看出,在正弦交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位wt1),在可控硅的柵極上加一正觸發(fā)脈沖,使可控硅觸發(fā)導通,根據可控硅的開(kāi)關(guān)特性,這一導通將維持到正弦波的正半周結束。所以在正弦波的正半周(即0~π區間)中,0~wt1范圍內可控硅不導通,這一范圍叫做可控硅的控制角,可控硅控制角常用α表示;而在wt1~π的相位區間可控硅導通,這一范圍(見(jiàn)圖4中的斜線(xiàn)部分)稱(chēng)為可控硅的導通角,常用φ表示。同樣在正弦交流電的負半周,對處于反向聯(lián)接的另一只可控硅(相對于兩個(gè)單向可控硅的反向并聯(lián)而言),在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,使其導通。如此周而復始,對正弦波的每一半周期控制其導通,獲得相同的導通角。如果改變觸發(fā)脈沖的觸發(fā)時(shí)間(或相位),即改變可控硅導通角 φ(或控制角α)的大小。導通角越大電路的輸出電壓越高,相應燈負載的發(fā)光越亮??梢?jiàn),在可控硅調光電路中,電路輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,除非調光電路工作在全導通狀態(tài),即導通角為180
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