RAMTRON推出2KB鐵電微控制器 VRS51L3072

非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中，以進(jìn)行快速可靠的非易失性數據存儲與處理系統，而這是存儲系統狀態(tài)、數據記錄及在多種應用的非易失性變量的理想選擇，包括從傳感器與計量?jì)x表到工業(yè)控制、儀表與醫療設備等應用。

Ramtron戰略市場(chǎng)拓展經(jīng)理David Lee稱(chēng)：“我們針對需要較低密度F-RAM進(jìn)行實(shí)時(shí)數據采集和存儲的客戶(hù)，擴展了Versa 8051產(chǎn)品系列即推出帶2KB  F-RAM的MCU。VRS51L3072的高性能內核可控制外設及采集數據，而其板載數字信號處理 (DSP) 功能則會(huì )處理數據，然后存儲在F-RAM內。這款產(chǎn)品與我們的8KB F-RAM MCU引腳兼容，對于那些需要少于8KB F-RAM的應用來(lái)說(shuō)，是一種別具成本效益的替代方案?！?

F-RAM替代Flash/EEPROM存儲非易性數據存儲

F-RAM能夠消除Flash數據存儲器相關(guān)的先頭編碼、有限的耐用性及Flash/EEPROM延長(cháng)的寫(xiě)入周期，從而簡(jiǎn)化設計流程。與Flash不同，F-RAM字節無(wú)需首次擦除整個(gè)扇區即可進(jìn)行改動(dòng)，使用更為便捷。而且與Flash/EEPROM不同的是F-RAM能夠無(wú)限次的讀/寫(xiě)和快速寫(xiě)入數據。

VRS51L3072將2KB F-RAM與完全集成的高性能系統級芯片 (System-on-chip)相結合，其特性包括40 MIPS單周期8051內核、同時(shí)具有ISP和IAP編程功能的64KB Flash、4KB SRAM、數字信號處理 (DSP) 擴展功能及穩健的數字外圍設備。VRS51L3072在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內以3.3V電壓工作，是多種先進(jìn)應用的理想嵌入式數據采集解決方案。