NEC低噪音放大器面向2GHz到8GHz的衛星接收

新產(chǎn)品與NEC電子現有產(chǎn)品相比，將放大信號時(shí)的噪音降低了0.1dB，將放大部分的電平提高了1.5dB，有利于降低特性偏差。用戶(hù)使用新產(chǎn)品，可以提高汽車(chē)音響、便攜式音樂(lè )播放器等接收信號的靈敏度，從而擴大接收信號的范圍，實(shí)現接收設備的小型化、低成本化。

新產(chǎn)品的樣品價(jià)格為30日元/個(gè)，批量生產(chǎn)將從2007年9月開(kāi)始，初期的生產(chǎn)規模為10萬(wàn)個(gè)/月，預計到2008年生產(chǎn)規模將達到100萬(wàn)個(gè)/月。

NEC電子此次推出的新產(chǎn)品是專(zhuān)門(mén)針對衛星廣播領(lǐng)域開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，因此非常重視低噪音特性。新產(chǎn)品的主要特征如下。

(1)低噪音特性及高增益性能均為業(yè)界最高水平

通過(guò)優(yōu)化外延層(Epitaxiallayer)結構，使放大信號時(shí)的噪音與現有產(chǎn)品相比降低了0.1dB，使放大部分的電平提高了1.5dB，因此可同時(shí)實(shí)現業(yè)界最高水平的低噪音特性及高增益性能。

(2)可支持較寬的頻率

可接收從2GHz到8GHz的寬頻帶范圍的信號，并進(jìn)行放大。

(3)使用NEC電子獨有的異質(zhì)結場(chǎng)效應晶體管(HJ-FET)技術(shù)

在此次的產(chǎn)品中，使用了NEC電子獨有的用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應層將砷化鎵銦(InGaAs)溝道層夾在中間的結構。此次，NEC電子不僅通過(guò)使用獨有的電極形成技術(shù)，實(shí)現超低噪音的異質(zhì)結場(chǎng)效應晶體管(HJ-FET)，還通過(guò)改善外延層的結構及芯片生產(chǎn)條件，降低芯片生產(chǎn)過(guò)程中所產(chǎn)生的特性偏差。