應用材料公司推出等離子體強化化學(xué)氣相沉積系統

　　近日，應用材料公司宣布推出Applied Producer® Celera™ PECVD(等離子體強化化學(xué)氣相沉積) 系統，它能實(shí)現在45納米及更小技術(shù)節點(diǎn)的器件上生產(chǎn)速度更快的晶體管所需要達到的應力水平，是應力工程技術(shù)(Strained engineering technology) 的一個(gè)巨大進(jìn)步。該系統結合應用材料的Nanocure™ UV（紫外線(xiàn)）處理技術(shù)以及改進(jìn)型氮化物沉積反應腔，把薄膜張力提高了超過(guò)30%，達到了業(yè)界領(lǐng)先的1.7GPa等級，并可擴展至超過(guò)2.0GPa。在鍺硅凹型源漏結構的應用中，同一個(gè)沉積反應腔可以沉積最高達3.5GPa的壓力薄膜，使驅動(dòng)電流提高超過(guò)85%。

　　Producer Celera系統的關(guān)鍵是其完整的多級沉積和處理工藝，使得NMOS 器件中PECVD的張力達到了業(yè)界最高。整個(gè)工藝在同一系統中進(jìn)行，不必接觸空氣，使器件可靠性和性能得到了最大化。

　　應用材料公司資深副總裁，薄膜事業(yè)部總經(jīng)理Farhad Moghadam博士表示：“Producer Celera是第一臺在同一主機上整合了應力形成氮化物沉積和UV處理技術(shù)的系統，這是和其他產(chǎn)品最重要的不同之處。對于張力的增加能夠顯著(zhù)提高性能的NMOS器件來(lái)說(shuō)，它突破了性能提升的障礙。其獨特的配置已經(jīng)經(jīng)過(guò)了驗證，并被用于多家客戶(hù)在全球的生產(chǎn)?！?/P>

　　多重應力工程薄膜經(jīng)常被先進(jìn)器件所采用來(lái)提高晶體管驅動(dòng)電流，從而優(yōu)化其速度和功耗性能。應力薄膜和新型高K/金屬柵極技術(shù)的結合將進(jìn)一步推動(dòng)芯片縮小超越45納米技術(shù)節點(diǎn)，使摩爾定律得以繼續生效。