NS推出符合QMLV標準的高精度衛星通信系統放大器
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LMP2012WGLQMLV 芯片是一款軌到軌輸出運算放大器,其特點(diǎn)是可以利用多種專(zhuān)利技術(shù)測量及不斷校正輸入偏移錯誤電壓,但又不會(huì )像傳統放大器一樣產(chǎn)生干擾性的中頻電壓及電流噪聲,因此這款高性能放大器可在較長(cháng)時(shí)間及較廣闊的溫度范圍內確保信號高度準確及穩定。這款芯片已通過(guò)輻射測試,證實(shí)可承受 50K rad (Si) 的輻射,而且在整個(gè)航天溫度范圍內,共模抑制比 (CMRR) 及電源抑制比 (PSRR) 都高達 90dB。LMP2012WGLQMLV 芯片可以利用 2.7V 至 5V 的供電電壓操作,而且性能卓越,最適用于換能放大器、高增益配置、模擬/數字轉換器緩沖放大器以及采用數字/模擬轉換器的電流/電壓轉換系統。
LMP2012WGLQML
V 芯片適用于攝氏 -55 度至 125 度的溫度范圍,而且即使在這樣廣闊的溫度范圍內,輸入偏移電壓也低至只有 60mV,壓擺率則為 4V/us,而增益帶寬更高達 3MHz,因此可將信號準確放大。這款芯片的主要技術(shù)特色還有 35nV/sqrt Hz 的輸入參考電壓噪聲,以及超過(guò) 100dB 的開(kāi)環(huán)增益。
美國國家半導體的放大器系列
美國國家半導體一直專(zhuān)注于研發(fā)高性能的放大器及比較器,目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器,其中包含基本的芯片以及專(zhuān)用標準產(chǎn)品 (ASSP),以滿(mǎn)足市場(chǎng)上對高精度、高速、低電壓及低功率放大器的需求。該公司多年來(lái)一直致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng )新的放大器,這方面的技術(shù)更一直領(lǐng)先同業(yè),加上該公司也擁有先進(jìn)的 VIP10 雙極及 VIP50 BiCMOS 工藝技術(shù),這幾方面的優(yōu)勢令美國國家半導體將可繼續在放大器市場(chǎng)上保持其領(lǐng)導地位。此外,美國國家半導體率先推出 Silicon Dust™ 及 micro SMD 這兩種嶄新的封裝技術(shù),為封裝技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)導者。如欲進(jìn)一步查詢(xún)有關(guān)美國國家半導體放大器產(chǎn)品的資料,可瀏覽 amplifiers.national.com/CHS 網(wǎng)頁(yè)。
價(jià)格及供貨情況
LMP2012WGLQMLV 芯片采用 10 引腳的陶瓷 SOIC 封裝,目前已有大量現貨供應。這款芯片符合航天科技部門(mén)有關(guān) MIL-STD-38535 QML 第五級 (Level V) 技術(shù)的嚴格規定,并以標準軍事繪圖系統 (SMD) 5962L0620601VZA 為名稱(chēng)出售。如欲進(jìn)一步查詢(xún)有關(guān) LMP2012WGLQMLV 的資料,其中包括售價(jià)、訂購樣品或評估電路板等方面的資料,可向本地的營(yíng)業(yè)辦事處或授權分銷(xiāo)商洽詢(xún)。如欲進(jìn)一步查詢(xún)技術(shù)資料或下載數據表或輻射報告,可瀏覽 http://www.national.com/pf/LM/LMP2012.html 網(wǎng)頁(yè)。
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