意法半導體（ST）的混合發(fā)射極晶體管

意法半導體（紐約證券交易所：STM）推出了一個(gè)混合發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管(ESBT)，這個(gè)被稱(chēng)作STE50DE100的新器件可用于焊接設備、感應加熱系統和音頻放大器的功率因數校正應用。
STE50D100的集電極-源極能經(jīng)受1000V的高壓，集電極電流高達50A，這個(gè)四端子器件采用工業(yè)專(zhuān)用螺釘組裝的TSOTOP封裝。
在設計上，新器件集中了雙極晶體管和MOSFET管的優(yōu)點(diǎn)，并且摒棄了它們的缺點(diǎn)。
目前，功率雙極晶體管技術(shù)廣泛用于頻率低于70KHz的電源開(kāi)關(guān)應用，因為集電極-發(fā)射極飽和電壓低，功率雙極晶體管具有較低的導通損耗；但它的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度低、驅動(dòng)電流大以及與驅動(dòng)電路調優(yōu)相關(guān)問(wèn)題。
相反，MOSFET技術(shù)廣泛應用于高頻電源開(kāi)關(guān)應用中，MOSFET的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快、驅動(dòng)電流極低。它的缺點(diǎn)是成本高于雙極晶體管技術(shù)，導通功耗高。
STE50DE100通過(guò)整合優(yōu)點(diǎn)，消除缺點(diǎn)，把導通損耗降低到與雙極晶體管相同的水平，同時(shí)在150KHz以下時(shí)高速開(kāi)關(guān)性能達到了MOSFET的水平。
此外，因為采用共射-共基放大器配置和專(zhuān)用的雙極技術(shù)，該器件能夠提供一個(gè)方形反向偏壓安全工作區，所以它能夠在需求苛刻的開(kāi)關(guān)拓撲內工作。
ISOTOP封裝十分耐用，在25˚C時(shí)可以承受高達400W的總功耗。最高工作結溫150˚C，絕緣電壓2500V AC-RMS。訂購1000件的單價(jià)為20.0美元。