英飛凌拓展功率MOSFET和智能功率開(kāi)關(guān)等汽車(chē)電子產(chǎn)品

　　在日前舉行的2004年國際汽車(chē)電子展（Convergence 2004）上，英飛凌科技公司推出了兩個(gè)全新產(chǎn)品家族：一個(gè)是功率MOSFET系列，另一個(gè)是基于新一代溝槽技術(shù)的智能高端開(kāi)關(guān)IC系列。這兩個(gè)全新的產(chǎn)品系列進(jìn)一步拓展了英飛凌專(zhuān)為滿(mǎn)足汽車(chē)電子元件苛刻的環(huán)境和運行要求而設計的功率IC產(chǎn)品的范圍。在汽車(chē)電子領(lǐng)域，英飛凌是公認的全球領(lǐng)導者。

　　此外，英飛凌還為通用汽車(chē)電子系統推出了功率MOSFET的OptiMOS-T產(chǎn)品系列，將溝槽技術(shù)與全綠色封裝工藝完美集于一身。與英飛凌OptiMOS平面工藝相比，這種全新的溝槽技術(shù)不僅提供同樣的堅實(shí)耐用性，同時(shí)還可實(shí)現10倍以上芯片密度的片上集成。英飛凌利用這種更高的邏輯能力設計了PROFET™智能高邊開(kāi)關(guān)IC系列，這是世界首例采用溝槽技術(shù)的集成式智能開(kāi)關(guān)系列。

英飛凌OptiMOS-T

　　為了給那些致力于以電子系統替代機械和液壓系統的汽車(chē)系統工程師提供一個(gè)新的設計選擇，英飛凌在其MOSFET家族中又推出了一種名為OptiMOS-T的55V溝槽式功率技術(shù)。這種OptiMOS-T技術(shù)用于在汽車(chē)應用中最大限度地減小導通電阻（Rdson）和傳導損耗。根據具體設計的不同，傳導損耗的降低將提高冷卻風(fēng)扇等應用的工作效率，從而實(shí)現排放量和能耗的降低。例如，如果一輛汽車(chē)的能耗減少100瓦，它每100公里就可以節省0.15升燃料，同時(shí)，排放量也會(huì )相應減少。

　　OptiMOS-T家族的首款產(chǎn)品IPB100N06S3L-03是一種采用D2PAK封裝的2.7 mohm、55V N溝道MOSFET。在今后幾個(gè)月，英飛凌將推出一個(gè)導通電阻在2.7～25 mohm之間的完整產(chǎn)品系列。

　　“OptiMOS-T系列所采用的堅固和綠色環(huán)保的封裝工藝再次證明了英飛凌在汽車(chē)功率半導體應用領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。這些產(chǎn)品在質(zhì)量和可靠性方面都超出了客戶(hù)的期望，同時(shí)也更加堅定了英飛凌要將綠色環(huán)保技術(shù)帶入其所有產(chǎn)品的決心，”英飛凌（北美）公司汽車(chē)與工業(yè)部副總裁Christopher Cook說(shuō)。

　　OptiMOS-T家族的所有產(chǎn)品均為無(wú)鉛型（無(wú)鉛電鍍、綠色環(huán)保鑄模材料），這就使汽車(chē)電子系統供應商們可以根據現行規定選用無(wú)鉛產(chǎn)品。OptiMOS-T產(chǎn)品均符合RoHS（有害物質(zhì)限制使用）和WEEE（報廢電子電氣設備）規范的要求，且均能保持高達260