ROHM推出80V級高耐壓DC/DC轉換器，采用多種工藝手段

　　不久前，ROHM面向需要大功率(高電壓×大電流)的通信基站和工業(yè)設備領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)出耐壓高達80V、電流最大3A的MOSFET內置型DC/DC轉換器——BD9G341AEFJ。

　　ROHM公司LSI商品開(kāi)發(fā)本部工業(yè)設備戰略部部長(cháng)上林忠史稱(chēng)：在工業(yè)領(lǐng)域，48V電源用量很多，例如通信基站主流是48V，特點(diǎn)是可保持長(cháng)距離供電情況下，電壓下降不是很大;在緊急供電應用中，48V也是種很好的選擇。此次發(fā)布的新產(chǎn)品是旗艦產(chǎn)品，今后希望繼續擴展該產(chǎn)品家族。

　　耐壓80V的DC/DC產(chǎn)品，不僅在于提升各單元的電壓承受能力，同時(shí)需要在模擬電路設計上做出更多的探討。首先由于需要更寬的工作范圍，在電路設計和結構上需要一些特別的處理，而且芯片里會(huì )集成若干二極管、電阻和電容，耐壓提高后帶來(lái)了寄生電容特性變化，因此模擬電路設計時(shí)要充分考慮到。再有，電壓提高后，抗靜電方面也需要考慮，即在電路設計方面需要考慮可靠性。

　　“制造高耐壓DC/DC產(chǎn)品，最重要是工藝?！?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/ROHM">ROHM半導體(上海)有限公司設計中心應用技術(shù)二部的高級經(jīng)理周勁指出。此款產(chǎn)品采用了BiCDMOS工藝，把BiPolar(雙極型，掌管模擬電路)、CMOS(特點(diǎn)低耐壓，掌管MCU等的邏輯電路)、DMOS(掌管高耐壓、大電流的功率輸出部分)結合在一個(gè)LSI(大規模集成電路)制程中。20年前ROHM就推出了3.0微米，2003年實(shí)現了0.6微米工藝，現在已達到0.13微米工藝。但此次新產(chǎn)品只采用0.6微米、300mm晶圓工藝設計。原因是特征尺寸更小的工藝適合電腦等邏輯控制復雜、耐壓較低的產(chǎn)品。而0.6微米不僅耐壓較高，而且工藝較成熟，例如在消費類(lèi)電子上已推出了1600種產(chǎn)品，在車(chē)載上也有應用，因此不用擔心工藝可靠性的問(wèn)題。

　　此次新產(chǎn)品的另一個(gè)亮點(diǎn)是采用了二次外延工藝(如圖1)，以適合高耐壓。因為耐壓提高后，也需要更好的絕緣效果，通常的做法是把外延拉長(cháng)，一般來(lái)說(shuō)縱向與橫向都會(huì )拉大，橫向加大后會(huì )致使芯片尺寸增加。而二次外延工藝使縱向尺寸加大的同時(shí)，橫向沒(méi)有變化。因此，同樣管芯(die)情況下，ROHM的芯片尺寸會(huì )比競爭對手的尺寸小。

　　最后，ROHM的特色是一條龍生產(chǎn)，即從晶圓生產(chǎn)到掩膜、組裝全部由ROHM掌控，保證供貨穩定，不會(huì )因為末端代工晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)排期而影響供貨。另外可以保證長(cháng)時(shí)間的生產(chǎn)供貨，確保10年或更長(cháng)時(shí)間的持續穩定供貨。再有，開(kāi)發(fā)設計、晶圓生產(chǎn)等整個(gè)流程在公司內部控制中，可保證產(chǎn)品高品質(zhì)，設計和工藝可以完全匹配。