基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路

　　2改進(jìn)型模擬開(kāi)關(guān)電路設計

　　2.1電路描述和分析

　　圖4為本文設計的柵增壓電路，M3和M4組成了一對傳輸門(mén)，可以保證輸入信號在高低電壓無(wú)損失地傳輸到傳輸門(mén)的另一端。M1的柵極接反相器的輸出端，漏源兩端分別接電容正極板和電源電壓，M1的作用是當開(kāi)關(guān)連通且時(shí)鐘信號為高電平時(shí)，保證電容電壓抬升后不會(huì )迅速放電使電容正極板電位為0.M2的柵極接時(shí)鐘信號CLK，漏源兩端分別接電容正極板和電源電壓，它的作用是當開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，M2導通時(shí)使電容正極板電位保持在電源電壓。下面分析該電路的工作情況：

　　當開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，S為低電平，M1導通，保證電容正極板上的電壓最低為VDD，此時(shí)M3和M4都不導通，信號不能達到輸出端。當開(kāi)關(guān)導通時(shí)，S為高電平，M1截止，時(shí)鐘為低電平時(shí)，M2和M5導通，M1和M6關(guān)閉，電容充電至P-Vds;CLK為高時(shí)，由于電容兩邊電壓不會(huì )突變，電容正極板上的電壓會(huì )被抬升至原來(lái)的兩倍。

　　從上面分析可知，所有跟開(kāi)關(guān)柵端電壓連通的電壓都是和輸入信號無(wú)關(guān)的，因此開(kāi)關(guān)導通電阻與輸入信號無(wú)關(guān)，可以大大抑制信號有關(guān)的電壓損失，保證了信號的線(xiàn)性度和器件的可靠性。

　　圖3柵增壓仿真結果

　　圖4改進(jìn)型柵增壓電路

　　2.2性能仿真及結果分析

　　基于NEC0.35umCMOS工藝的模型參數，采用Spectre模擬軟件，對圖3進(jìn)行模擬仿真。電源電壓為5V，輸入信號singlin為500KHZ，信號幅度5V，電荷泵時(shí)鐘為100MHZ，電容為1.8pf，仿真得到了開(kāi)關(guān)導通電阻隨Vg電壓的變化(圖5)、電荷泵抬升后的電壓(圖6)和輸出信號結果(圖7)，可見(jiàn)，導通電阻在大于電源電壓時(shí)急劇降低，電容正極板上的電壓可以抬升至9V，輸出電壓波形比較理圖想，損耗很小，幾乎沒(méi)有。

　　圖5開(kāi)關(guān)導通電阻的DC仿真結果

　　圖6柵電壓tran仿真結果

　　圖7輸出電壓仿真結果