針對低耗能應用,ARM和聯(lián)華電子推出全新55奈米ULP實(shí)體IP解決方案
全球IP硅智財授權領(lǐng)導廠(chǎng)商ARM®與全球晶圓專(zhuān)工大廠(chǎng)聯(lián)華電子今(18)宣布ARM® Artisan®實(shí)體IP解決方案的新進(jìn)展,加速以ARM處理器為核心的嵌入式系統和物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)應用蓬勃發(fā)展。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/274362.htm聯(lián)華電子的55奈米超低功耗製程(55ULP)技術(shù)已成為低耗能物聯(lián)網(wǎng)應用的最佳解決方案。新推出的實(shí)體IP產(chǎn)品將有助于晶片設計團隊,加速并簡(jiǎn)化為物聯(lián)網(wǎng)和其他嵌入式系統開(kāi)發(fā)ARM系統單晶片(SoC)。
對許多講求低耗電的應用而言,盡可能最大化電池使用壽命是成功設計的關(guān)鍵。Artisan®實(shí)體IP平臺將強化聯(lián)華電子的ULP技術(shù),最大化電源效率和降低漏電功耗。主要功能如支援厚閘極氧化層(thick gate oxide)和多通道長(cháng)元件庫,讓SoC工程師能運用各種工具實(shí)現物聯(lián)網(wǎng)應用的最佳化設計。
ARM實(shí)體IP設計事業(yè)部總經(jīng)理Will Abbey指出:「完整的實(shí)體IP基礎平臺對聯(lián)電55ULP製程實(shí)現物聯(lián)網(wǎng)應用低功耗和低成本設計至關(guān)重要。針對低功耗所需的最佳化元件庫,ARM和聯(lián)電提供SoC工程師一套完善的全新開(kāi)發(fā)工具?!?/p>
聯(lián)華電子硅智財研發(fā)暨設計支援處資深處長(cháng)林世欽表示:「物聯(lián)網(wǎng)晶片工程師經(jīng)常被要求以更快的速度,設計出更省電的高度整合解決方案。聯(lián)華電子擁有晶圓專(zhuān)工產(chǎn)業(yè)最強大的物聯(lián)網(wǎng)專(zhuān)用55奈米技術(shù)平臺,全面且完整的IP資源可以滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品永遠連線(xiàn)且超低耗電的要求。聯(lián)電55ULP平臺納入Artisan實(shí)體IP之后,可立即增加工具選項,有助于降低設計複雜度和加速上市時(shí)程?!?/p>
Artisan元件庫將支援:
• 0.9v 超低電壓范圍,和1.2v電壓范圍操作相比,最高可節省44%動(dòng)態(tài)電力和25%漏電功耗
• 多通道元件庫提供各種臨界電壓(Vt)選項,可讓SoC工程師在漏電功耗和效能之間有多種組合選擇。長(cháng)通道元件庫可進(jìn)一步降低高達80%的漏電。電源管理工具組(PMK)可減少動(dòng)態(tài)電力和漏電的損失。
• 創(chuàng )新的厚閘極氧化層元件庫可大幅降低不斷電元件(always ON cells)的漏電值(比一般標準電路低350倍)。此元件庫可與較高電壓(包括物聯(lián)網(wǎng)裝置使用的電池電壓)連接,因此還具備了免裝電壓調節器的優(yōu)勢。
• 次世代高密度記憶體編譯器提供多重電力整合模式,在極小化待機漏電功耗時(shí)保留存儲狀態(tài)。運用這些模式,SoC工程師可比一般待機減少高達95%的漏電。
聯(lián)華電子 55ULP 實(shí)體 IP 即日起于 ARM DesignStart 網(wǎng)站供貨。
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