Qorvo：關(guān)于氮化鎵的十個(gè)重要事實(shí)

　　從下一代的國防和航天應用，到有線(xiàn)電視、VSAT、點(diǎn)對點(diǎn)(PtP)、基站基礎設施，Qorvo的GaN(氮化鎵)產(chǎn)品和技術(shù)為您身邊的各種系統提供領(lǐng)先的 性能支持，讓您能夠隨時(shí)聯(lián)網(wǎng)并受到保護。這些領(lǐng)先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個(gè)重要事實(shí)”，真正了解這個(gè)在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關(guān)鍵技術(shù)。

　　關(guān)于氮化鎵的十個(gè)重要事實(shí)：

　　一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，因此可以提供更大的帶寬、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的減少，還可提高效率。

　　二、氮化鎵場(chǎng)效應管器件的工作電壓比同類(lèi)砷化鎵器件高五倍。由于氮化鎵場(chǎng)效應管器件可在更高電壓下工作，因此在窄帶放大器設計上，設計人員可以更加方便地實(shí)施阻抗匹配。所謂 “阻抗匹配”，是指在負載的輸入阻抗設計上，使得從器件到負載的功率傳輸最大化。

　　三、氮化鎵場(chǎng)效應管器件提供的電流比砷化鎵場(chǎng)效應管高二倍。由于氮化鎵場(chǎng)效應管器件提供的電流比砷化鎵場(chǎng)效應器件高二倍，因此氮化鎵場(chǎng)效應器件的本征帶寬能力更高。

　　四、氮化鎵在器件層面的熱通量比太陽(yáng)表面的熱通量還要高五倍! “熱通量” 是單位面積的熱量輸送率。由于氮化鎵是高功率密度器件，因此它在非常狹小的空間內散發(fā)熱量，形成高熱通量。這也是氮化鎵器件的熱設計如此重要的原因。

　　五、碳化硅的導熱性是砷化鎵的六倍，是硅的三倍。碳化硅具有高導熱性，這使它成為高功率密度射頻應用的首選襯底。

　　六、氮化鎵的化學(xué)鍵強度是砷化鎵化學(xué)鍵的三倍。因此，氮化鎵的能隙更大，能夠支持更高的電場(chǎng)和更高的工作電壓。

　　七、氮化鎵—氮化鋁鎵結構的壓電性是砷化鎵—砷化鋁鎵結構的五倍。我們知道壓電性在氮化鎵中很重要。由于氮化鎵—氮化鋁鎵結構具有較高的壓電性，因此電氣和物理屬性之間是相關(guān)的。

　　八、碳化硅基氮化鎵材料的晶格錯位密度約為砷化鎵的10,000倍。因此，與同類(lèi)砷化鎵器件相比，柵極電流往往較高，需要電路設計人員的額外注意。

　　九、氮化鎵—氮化鋁的應力是砷化鎵—砷化鋁的20 倍。由于氮化鎵—氮化鋁的應變性高于同類(lèi)砷化鎵—砷化鋁系統，因此所有層面進(jìn)行應力分析很重要。

　　十、TriQuint 的氮化鎵器件在200 攝氏度下工作100 萬(wàn)小時(shí)，失效率低于0.002%。