DSP自動(dòng)加載過(guò)程及程序燒寫(xiě)的簡(jiǎn)化設計

　　上電或復位完成后，DMA按默認時(shí)序從CE1地址復制64 KB到零起始地址處，加載完成后，DSP從零地址開(kāi)始執行。本文中斷向量表從程序空間0地址開(kāi)始存放，每個(gè)中斷向量8個(gè)字節，總計大小為0x200字節。加載完成后程序從0地址開(kāi)始執行，直接跳轉到DSP主程序入口～c_int 00處。

　　3燒寫(xiě)程序設計

　　應用程序編寫(xiě)完成后，需要將程序燒寫(xiě)到程序存儲器中。程序燒寫(xiě)主要有以下幾種方法：

　?、俨捎猛ㄓ脽龑?xiě)器進(jìn)行燒寫(xiě);

　?、谑褂肅CS中自帶FlashBurn工具燒寫(xiě);

　?、塾脩?hù)自己編寫(xiě)燒寫(xiě)程序，由DSP將加載到片上的應用程序燒寫(xiě)到程序存儲器中。

　　使用通用燒寫(xiě)器燒寫(xiě)時(shí)，需要程序存儲器為可插拔的，這樣給設計帶來(lái)不便。FlashBurn支持的存儲器種類(lèi)有限，對于使用國產(chǎn)存儲器芯片的場(chǎng)合不一定合適，另外FlashBurn不能識別目標文件，需要將目標文件轉換為二進(jìn)制文件后才可燒寫(xiě)。

　　采用用戶(hù)自己編寫(xiě)燒寫(xiě)程序的方法較為靈活。具體方法為：?jiǎn)为毥⒁粋€(gè)燒寫(xiě)工程文件，燒寫(xiě)時(shí)，先把應用程序工程編譯生成的目標文件加載到目標DSP電路的RAM中，再把燒寫(xiě)工程文件生成的目標文件加載到目標DSP電路RAM的另一個(gè)地址空間中，運行main函數后執行燒寫(xiě)程序直到燒寫(xiě)完成。這種燒寫(xiě)方法可以避免兩次加載可能造成的覆蓋，防止第二次加載時(shí)修改第一次加載的內容。

　　3.1燒寫(xiě)程序的。cmd文件和中斷向量表設計

　　燒寫(xiě)程序的。cmd文件與用戶(hù)應用程序的。cmd文件相同，但程序地址分配空間須嚴格區分開(kāi)來(lái)。本文將用戶(hù)程序地址空間安排在從0開(kāi)始的0xB400空間內，燒寫(xiě)程序安排在從0xC000開(kāi)始的0x3400空間內。燒寫(xiě)程序。cmd文件地址空間分配如下：

　　MEMORY{

　　VECS：o=0000C000h l=00000400h

　　PMEM：o=0000C400h l=00003000h

　　}

　　如果需要優(yōu)化程序空間，可以通過(guò)編譯生成的。map文件得到用戶(hù)程序和燒寫(xiě)程序實(shí)際占用的空間，通過(guò)修改，。cmd文件進(jìn)一步優(yōu)化。

　　燒寫(xiě)程序沒(méi)有中斷，可以只保留_c_int00，簡(jiǎn)單起見(jiàn)，也可以采用與應用程序完全相同的中斷向量表。

　　3.2燒寫(xiě)程序設計

　　在設計燒寫(xiě)程序前，需要充分了解程序存儲芯片的操作過(guò)程。本文使用的FLASH芯片AM29LV160的操作碼，有寫(xiě)操作、讀操作、芯片擦除、塊擦除、鎖定等十余種操作。FLASH芯片在寫(xiě)操作前需要先進(jìn)行擦除操作。燒寫(xiě)程序如下：

　　燒寫(xiě)程序設計和燒寫(xiě)操作中有以下幾點(diǎn)需要注意：

　?、贌龑?xiě)時(shí)，一定要先把應用程序目標文件加載到RAM中，再把燒寫(xiě)程序目標文件加載到RAM中，然后運行main函數執行燒寫(xiě)。

　?、诔绦蛑蠪LASH_ADDRS為自動(dòng)加載前程序存儲的FLASH芯片地址，本文為0X01000000;RAM_ADDRS為加載后程序存儲的地址，本文為外部SRAM芯片地址0x00000000.

　?、圻M(jìn)行FLASH芯片操作前需對EMIF進(jìn)行初始化，程序中my_EmifCog為7個(gè)32位二進(jìn)制數組成的數組，分別配置GBLCTL、CECTL0、CECTL1、CECTL2、CECTL3、SDCTL和SDTIM這7個(gè)控制寄存器。本文中CE0接外部32位SRAM芯片，CE2接8位FLASH芯片，分別設置CECTL0為0xFFFF3F23、CECTL1為0xFFFF3F03，其他控制寄存器需要根據應用情況來(lái)確定。

　?、蹻LASH芯片可整片擦除，也可塊擦除，需擦除完成后才能對FLASH芯片進(jìn)行寫(xiě)操作。FLASH芯片擦除時(shí)間較長(cháng)，需要在擦除子程序后設置斷點(diǎn)，等待擦除完成(可以CCS中查看0x01000000起始的FLASH空間全為0xFF為參考)后，再進(jìn)行程序燒寫(xiě)操作。

　?、莩绦蛑蠵RO_LEN為用戶(hù)程序長(cháng)度，為用戶(hù)應用程序，。cmd文件設置中斷向量、程序等分配的總長(cháng)度，本文為0xB400.

　?、蕹绦蚣虞d到的外部SRAM為32位，FLASH芯片為8位，LENDIAN為高電平。燒寫(xiě)程序從SRAM中讀取的程序為32位，32位數據需要按照從低到高的順序燒寫(xiě)到8位FLASH芯片中。

　　結語(yǔ)

　　實(shí)際工程應用驗證了上述燒寫(xiě)及自動(dòng)加載方法的可行性。本文所述的加載過(guò)程比二次加載節省了DSP系統啟動(dòng)時(shí)間，但因加載過(guò)程中FLASH芯片讀寫(xiě)等待時(shí)間為默認設置，用戶(hù)不能更改，程序加載時(shí)間仍達120 ms，在某些看門(mén)狗時(shí)間較短的應用中需要特別考慮。本文的程序燒寫(xiě)方法還可以推廣應用于其他的DSP系統中。