全電自旋電晶體 成大研發(fā)成功

　　信用卡、手機、電腦等生活大小數位用品都與電晶體息息相關(guān)，但傳統電晶體終將遇到瓶頸，成大物理系團隊開(kāi)發(fā)出全電式“自旋電晶體”，能比傳統電晶體更省電、運算速度快上千倍甚至萬(wàn)倍，將為半導體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)突破性進(jìn)展。研究成果目前已申請臺灣專(zhuān)利，正布局美、韓專(zhuān)利。

　　成大物理系副教授陳則銘表示，傳統電晶體無(wú)論制程技術(shù)如何突破，以物理學(xué)來(lái)看，都不可能小于5奈米，目前電晶體平均每?jì)赡昕s小1倍，美國Intel、臺灣臺積電等半導體龍頭正研發(fā)16甚至14奈米的電晶體，以此來(lái)看，最快再10年傳統就會(huì )到達極限。

　　因此，20多年前有科學(xué)家提出新型“自旋電晶體”概念，但因磁性材料自旋注入效率低、和積體電路難結合，難有具體實(shí)現。

　　團隊跳脫過(guò)去思考，歷時(shí)1年研發(fā)出全電式的自旋電晶體，運用改變電壓操控自旋電子方向，取代原本概念中的鐵磁性材料，讓量子接觸點(diǎn)達成100%自旋注入，同時(shí)解決自旋相位干擾問(wèn)題，成為全世界首顆可有效工作的自旋電晶體。

　　論文第一作者、成大物理碩士生何升晉及莊博任說(shuō)，研究過(guò)程中曾遇到撞墻期，一直得不到想要的科學(xué)數據，“很苦悶”，加上電晶體實(shí)驗過(guò)程中，外在環(huán)境只要有任何變動(dòng)，如有人走過(guò)、手機響，都會(huì )失敗，只好改在晚上實(shí)驗，每天平均待在實(shí)驗室中12到14小時(shí)，最后終于成功。