Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存儲器，擴展Serial Quad I/O? SuperFlash?系列存儲器件

　　全球領(lǐng)先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)發(fā)布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件，擴展其1.8V Serial Quad I/O™(SQI)SuperFlash®系列存儲器。新器件備有4 Mb和8 Mb兩種存儲容量，采用Microchip高性能SuperFlash技術(shù)制造，可提供業(yè)界最快的擦除時(shí)間和卓越的可靠性。

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　　由于采用了SuperFlash技術(shù)，SST26WF080B/040B新器件的擦除速度比其他同類(lèi)器件都要快。扇區和塊擦除命令在短短18毫秒內即可完成，執行整個(gè)芯片的擦除操作也只需要35毫秒;而同類(lèi)器件一般需要5-15秒的時(shí)間來(lái)完成整個(gè)芯片的擦除操作。顯然，SST26WF080B/040B的擦除速度要快300倍左右。由于最大限度地減少了測試和固件更新所需的時(shí)間，新器件極其快速的擦除性能可為客戶(hù)顯著(zhù)節約成本并大幅提高產(chǎn)能。

　　新器件的SQI接口是一個(gè)104 MHz的高速四I/O串行接口，即使是低引腳數封裝也可實(shí)現高數據吞吐量。該接口支持低延遲就地執行(execute-in-place，XIP)功能，使得程序可以直接在閃存內存儲和執行而無(wú)需在RAM器件上進(jìn)行代碼映射。與x16并行閃存器件相比，SST26WF080B/040B的數據吞吐速度更快，又不存在并行閃存有關(guān)的高成本和高引腳數。此外，該SQI接口還提供完整的命令集，可向后兼容傳統的串行外設接口(SPI)協(xié)議。

　　SST26WF080B/040B專(zhuān)為低功耗設計，有助于最大限度地延長(cháng)便攜式供電應用中電池的壽命。新器件在待機模式下的典型電流消耗僅為10 µA，而深度掉電模式下的典型電流消耗更進(jìn)一步降至1.8 µA。104 MHz時(shí)其典型主動(dòng)讀取電流為15 mA。1.8V低功耗操作與小尺寸封裝相結合，無(wú)疑令SST26WF080B/040B成為諸如手機、藍牙®耳機、GPS、攝像頭模塊、助聽(tīng)器和其他電池供電設備等各種應用的最佳選擇。

　　SST26WF080B/040B擁有卓越的品質(zhì)和可靠性，數據保存時(shí)間長(cháng)達100年，且可擦/寫(xiě)次數超過(guò)10萬(wàn)次，耐用性極高。此外，其安全性也得到進(jìn)一步增強，包括針對各獨立塊的軟件寫(xiě)保護以便靈活保護數據/代碼安全以及一個(gè)一次性可編程(OTP)的2 KB安全ID區域。這些特性有助防止未經(jīng)授權的訪(fǎng)問(wèn)以及其他惡意讀取、編程和擦除的企圖。同時(shí)，該器件還具有一個(gè)符合JEDEC標準的串行閃存可發(fā)現參數(SFDP)表，其中包含了有關(guān)SST26WF080B/040B功能和性能的標識信息，從而簡(jiǎn)化軟件設計。

　　Microchip存儲產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示：“我們1.8V低功耗Serial Quad I/O產(chǎn)品線(xiàn)新增的SST26WF080B/040B SuperFlash器件為客戶(hù)帶來(lái)了業(yè)界擦除速度最快的高速閃存這一出眾的解決方案。憑借小尺寸和低功耗的特性，新器件可謂是包括物聯(lián)網(wǎng)應用在內的新一代采用電池供電的便攜嵌入式設計的理想選擇。”

　　供貨

　　SST26WF080B/040B器件采用8觸點(diǎn)6 mm x 5 mm WSON封裝、8引腳150 mil SOIC封裝、8觸點(diǎn)2 mm x 3 mm USON封裝以及8球Z-Scale XFBGA封裝，現已開(kāi)始提供樣片并投入量產(chǎn)，以10,000片起批量供應。

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