意法半導體(ST)推出全新M系列IGBT，有效提升太陽(yáng)能及工業(yè)電源的能效和可靠性

　　意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出全新M系列1200V IGBT，以先進(jìn)的溝柵式場(chǎng)截止技術(shù) (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽(yáng)能逆變器 (solar inverters)、電焊機 (welding equipment)、不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 與工業(yè)電機驅動(dòng)器等多項目標應用的能效和可靠性。

　　高度優(yōu)化的導通性和關(guān)斷性以及低導通損耗 (low turn-on loss)，讓全新的改進(jìn)型IGBT 特別適用于執行工作頻率高達20kHz的硬開(kāi)關(guān)電路 (hard-switching circuit);最高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍 (SOA, safe operating area) 無(wú)閉鎖效應 (latch-up free)，150°C 時(shí)的短路耐受時(shí)間 (short-circuit withstand time) 為10µs，這些特性確保新產(chǎn)品在惡劣的外部電氣環(huán)境中具有更高的可靠性。

　　新產(chǎn)品所用的第三代技術(shù)包括新的先進(jìn)的溝柵結構設計和優(yōu)化的高壓IGBT架構，可以最大限度地降低電壓過(guò)沖 (voltage overshoot)，消除關(guān)斷期間出現的振蕩現象 (oscillation)，有效降低電能損耗，簡(jiǎn)化電路設計。與此同時(shí)，低飽和電壓 (Vce (sat)) 可確保新產(chǎn)品具有很高的導通能效。正溫度系數和窄飽和電壓范圍可簡(jiǎn)化新產(chǎn)品并聯(lián)設計，有助于提高功率處理能力。

　　新產(chǎn)品還受益于提升的導通能效。此外，新產(chǎn)品與IGBT反向并聯(lián) (anti-parallel) 的新一代二極管一同封裝，具有快速的恢復時(shí)間和增強的恢復軟度特性，且導通損耗沒(méi)有明顯上升，進(jìn)而實(shí)現更出色的EMI性能表現。

　　40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款產(chǎn)品采用標準的TO-247封裝，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產(chǎn)品采用TO-247長(cháng)引腳封裝，目前均已開(kāi)始量產(chǎn)。

　　欲了解更多詳情，請瀏覽：www.st.com/igbt