突破GHz的限制--石墨烯電路

美國和意大利的研究人員制造出了第一個(gè)在吉赫茲(GHz)頻率下運行的石墨烯數字集成電路。研究小組稱(chēng)，這種環(huán)形振蕩器是實(shí)現全石墨烯微波電路道路上重要的一步。

石墨烯是二維平面結構，其厚度僅為一層原子厚。同其他的二維材料如碳納米管，輝鉬礦等一樣，石墨烯在未來(lái)的電子產(chǎn)品中有著(zhù)很大的潛力，因為原則上講二維材料可制成小于10納米厚的電子設備。而在10個(gè)納米長(cháng)的尺度下，傳統的由硅制成的設備會(huì )因為太小而不能正常運作，因此石墨烯和其他相似的材料為制作更小的電 子設備提供了一種可能。

開(kāi)發(fā)由二維材料制成的設備所面臨的主要挑戰在于速度?，F代的硅處理器如手機中的通訊芯片在微波（吉赫茲）頻率下運行。故而，任何實(shí)用的二維設備至少也應能在此頻率下運行。但迄今為止，最快的二維設備-碳納米管環(huán)形振蕩器-僅能以50 MHz的低頻運行。

現在，由Roman Sordan領(lǐng)導的來(lái)自米蘭理工大學(xué)(Politecnico di Milano)和伊利諾伊大學(xué)Eric Pop 學(xué)院(Eric Pop of the University of Illinois)的小組稱(chēng)他們制作出了第一個(gè)集成石墨烯振蕩器，并可在1.28 GHz下運行。和傳統的硅CMOS裝置及早期的二維材料裝置相比，這種振蕩器對電源電壓的波動(dòng)更加不敏感。

遠不止這些。研究小組已經(jīng)由環(huán)形振蕩器構建出了獨立的石墨烯頻率混合器，而早先的石墨烯混合器是非獨立的，因為它們需要外部的振蕩器來(lái)運行。

Sordan表示，“我們相信我們的工作已經(jīng)極大地提升了在低維納米材料轉向實(shí)用、高速數字和模擬應用方面的研究，并希望有力推進(jìn)未來(lái)在這方面的研究。”

該研究成果已發(fā)表在A(yíng)CS Nano上。