一種用DGS結構實(shí)現雙帶隙的設計

表1 不同N值的帶隙特性

因為不同的g諧振頻率不同，據此設計了一個(gè)六個(gè)單元級聯(lián)的雙帶隙結構，其結構如圖7(a)所示，六個(gè)單元的a=2.5mm,b=w= 1.46mm,前四個(gè)單元的g=0.5mm后兩個(gè)g=0.1mm，經(jīng)過(guò)仿真分析當單元間距d=6mm時(shí)可以得到良好的雙帶隙其S參數仿真結果如圖7(b)所示。

圖7(a) 雙帶隙結構示意圖

圖7(b) S參數仿真結果

由圖7(b)可看出圖7(a)所示的結構產(chǎn)生了雙帶隙，第一個(gè)和第二個(gè)帶隙的中心頻率分別為7GHz和10.48Hz，兩個(gè)帶隙的-20db帶寬分別為40.7%和22.4%。

4 結論

本文介紹了一種直接蝕刻在接地金屬板上的一維DGS結構，并采用三維場(chǎng)仿真方法對影響單元帶隙特性的參數進(jìn)行了研究，得出了各參數對諧振頻率影響的變化關(guān)系，這樣就可以通過(guò)調節單元的物理尺寸很方便的控制等效電容和等效電感。分析了其等效電路并提取了等效電路參數，可以將所提取出的等效電路參數直接用于實(shí)際的電路分析。進(jìn)一步研究了單元數對帶隙特性的影響，得出了對帶隙特性具有明顯改善的最佳單元數并設計了一種能產(chǎn)生雙帶隙的結構。