一種用DGS結構實(shí)現雙帶隙的設計

圖3(b) 諧振頻率隨g的變化

圖3(c) 中心頻率隨b的變化

以上分析了DGS單元的各個(gè)參數的變化對諧振頻率的影響，因而通過(guò)改變結構單元的物理尺寸可以很方便的控制其等效電感和等效電容。用文獻給出的方法提取了圖2的等效電路參數并通過(guò)電路仿真和電磁仿真分析兩者吻合良好，如圖4所示。因此所得出的DGS結構等效電路參數可以直接用于實(shí)際電路的分析。

圖4 電磁仿真和電路仿真對比

3 改進(jìn)的DGS周期結構

DGS單元結構雖然可以形成帶隙，但是阻帶帶寬較窄且帶隙深度較小，為了提高帶寬本文通過(guò)將N個(gè)DGS單元以周期間距d級聯(lián)（如圖5所示），在取DGS單元尺寸為a=2.5mm,b=w=1.46mm,g=0.2mm的情況下討論了周期間距d以及單元數N對帶隙深度和帶寬的影響。以五個(gè)單元為例分析了單元間距d對帶隙的影響，仿真分析表明僅當d=5mm時(shí)才能產(chǎn)生良好的單帶隙特性且帶寬和深度明顯增加如圖6所示。表4為d=5mm時(shí)N取不同值帶隙的中心頻率，最大帶隙深度和-20db帶寬的變化。

圖5 DGS單元級聯(lián)示意圖

圖6 d=5mm時(shí)S參數仿真結果

由表1可看出當單元數N增加時(shí)中心頻率變化很小,最大帶隙深度和-20db帶寬均隨著(zhù)單元數的增加而增加且增加的幅度都越來(lái)越慢，因此N主要影響帶隙深度和帶寬。由圖6可見(jiàn)當N＝5時(shí)就能得到很好的帶隙，繼續增加單元數時(shí)帶隙深度和寬度變化微弱隙特性沒(méi)有明顯的改善且會(huì )造成尺寸變大，制造成本增加。